長江存儲將成蘋果的供應商？但美光的CEO卻說了些很難聽的話！

近日，來自日經新聞的消息稱：清華紫光旗下的長江存儲正在與蘋果公司進行協商，長江存儲將有可能為蘋果公司供應NAND FLASH快閃記憶體晶片。

當然，如果長江存儲真能與蘋果之間達成這一供貨協議，既意味著長江存儲進入到了蘋果的供應鏈體系中，又對在內地的廠商發展存儲器事業是個積極的信號。

而美光的CEO日前在接受媒體的採訪時就表示：在中國的本土廠商研發NAND和DRAM存儲器，目前依然是處於非常早期的階段。

在存儲器行業中，來自內地的廠商要想在國際市場中成為有影響力的廠商，必須要有達到尖端水準的技術，足夠的智慧財產權積累和大規模化量產的能力。

而中國的本土廠商要同時具備這些條件和能力，可能得用上長達10年左右的時間。

存儲器行業的門檻其實相當高，現今中國的內存晶片製造商對三星電子、海力士和美光等大廠並不構成威脅。

估計有人很容易會聯想到，早在2015年，清華紫光本就有意豪擲230億美金把美光收入自己的旗下，但這起科技企業併購案最終是被美國政府否決。

美國政府給出的理由是，該起併購交易會對美國的國家安全構成威脅。

NAND FLASH存儲器對移動終端設備而言，是必不可少的組件之一。

從過去到現在很長的時間裡，蘋果公司主要向三星電子、海力士、美光和東芝等廠商採購存儲器。

研究公司CINNO提供的一組數據即顯示，蘋果已是全球最大的NAND存儲器客戶，僅在2017年，蘋果向上游供應商採購了1.6億片存儲器晶片，占全球需求總量的15%。

在業界中，蘋果向來對自己的供應商有非常嚴格的要求。

倘若長江存儲真能成為蘋果的供應商之一，則等於是說長江存儲研發和生產的存儲器在質量和性能上過硬。

預計剛開始，蘋果向長江存儲下的單量不會大。

長江存儲在國內成立至今的時間並不算久，能贏得蘋果這家大客戶，自當是個重大的收穫，已是相當不容易了。

2016年7月26日，長江存儲在武漢新芯的基礎上成立，主要的股東包括中國集成電路產業投資基金、湖北省政府和清華紫光。

這即是說，長江存儲實為紫光旗下的子公司。

在一些行內外人們看來，長江存儲有望在存儲器行業中挑戰、甚至超越三星電子、海力士、東芝等廠商。

長江存儲首個NAND存儲器生產線位於武漢，第一期投資達240億美金，占地面積近2000畝，包括了三座全球單座潔凈面積最大的3D NAND存儲器生產廠房。

其中，一號生產與動力廠房已在2017年9月完成封頂，現工程人員正在對廠內的潔凈室進行裝修，以及安裝空調、消防等系統。

估計到2018年4月，工作人員會向該廠房移入生產設備，以便爭取在2018年下半年開始投入生產運營。

3D NAND陣列TEM照片

假定長江存儲與蘋果確實達成了存儲器供貨協議，那麼長江存儲最快也要在2019年才能向蘋果供貨，不過也不排除長江存儲會在更晚的2020年才開始向蘋果供應存儲器。

況且，有兩位知情者向媒體透露，蘋果採購長江存儲的存儲晶片，會用於新款的iPhone手機中。

而這些iPhone手機主要是面向在中國內地的人群。

一些市場觀察者看來，在存儲器行業，中國大陸存儲晶片廠商的技術比起韓國存儲器廠商就只差了大概三年的時間。

因為，2014年8月，三星電子開始批量生產32層3D NAND快閃記憶體。

2015年8月，三星又才量產48層3D NAND快閃記憶體晶片。

2016年12月，三星便才開始量產64層3D NAND快閃記憶體。

自然地，廠商要研發並投產更高的層次和位元堆積的3D NAND晶片，就必須要採用更先進的技術和工藝。

於是，長江存儲如完全採取自主研製的方式，並不一定能在更短的時間裡縮小與三星在技術上的差距。

不過，媒體這些天傳出的一個好消息是，清華紫光正在與英特爾展開合作，以共同研發3D NAND快閃記憶體。

換言之，長江存儲有了英特爾提供的技術支持，些許有望在更短的時間裡，迅速縮小與三星等韓國晶片製造商在技術上的差距。

按照紫光與英特爾之間達成的合約，英特爾首先是向紫光供應用於NAND存儲器的晶圓，然後在向紫光提供64層3D NAND快閃記憶體晶片的技術授權？？？可以試著預見的是，長江存儲剛開始不大可能進入到中、高端智能設備產品。

其實，紫光與英特爾之間的關係一直很穩固且神秘。

早在2014年，英特爾便向紫光旗下的展訊投資了15億美金，並持有展訊20%的股份。

最後，我談談自己的一點看法。

據我所知，目前清華紫光的DDR3內存，其實並不是由紫光自主研發而成。

更準確地說，紫光的DDR3內存其實是當初奇夢達的遺產。

DDR3內存雖然仍未被市場完全淘汰，但已經不是台式機、伺服器和其他設備的主流性組件了。

前不久，媒體曝光稱紫光研發並開始量產DDR4內存，很快紫光就出面闢謠了這一傳聞。

另有媒體稱，紫光在2018年下半年會向市場推出DDR4內存，至於容量和價格則隻字未提。

再有，紫光的DDR3內存到底採用的是什麼水平的工藝，一直是個謎。

我在猜的話，紫光的DDR3內存，搞不好還是採用的30nm及以上的製程工藝。

要知道，當前業界主流的工藝已經達到20nm的水平。

三星已經採用18nm工藝生產DRAM內存了。

長江存儲研發出了32層3D NAND快閃記憶體，核心容量64Gb。

當今市場上主流的已經是64層3D NAND快閃記憶體，且核心容量也是256Gb甚至512Gb。

至於國內的廠商在生產NAND快閃記憶體所用的工藝應該也比國外的同行落後了不少。

由此，紫光與英特爾在NAND快閃記憶體晶片領域能達成技術授權合作，似乎也能達到雙贏的結果。

至於英特爾會不會向紫光提供內存晶片的技術授權，目前我還沒有見到有媒體報導過。