隨著晶片製造工藝越來越向10納米級別靠近，工藝尺寸開始顯得不那麼重要了，不同廠商對工藝節點的客觀定義也不同，比如英特爾、台積電、格羅方德和三星。

把一個工藝節點定義為半個引腳中心距和電晶體柵極長度的日子已經一去不復返了，如今一個特定的工藝節點具有許多特徵指標，比如晶片面積、功耗、頻率調節等等。

在製作集成電路的過程中，比如製作微處理器，工藝節點的這些特徵極大程度上決定了最終處理器成品的性能。

最重要的是技術，不是尺寸

從10納米工藝起的晶片如果採用了極紫外光刻（EUV）技術，那麼工藝節點的尺寸就要顯得更重要了。

英特爾此前曾打算利用最新EUV技術生產10納米晶片。

2014年英特爾又表示說EUV技術可能不足以在短期內滿足10納米晶片生產工藝。

英特爾高級研究員Mark Bohr說：

「我們想用EUV技術製作7納米晶片，但我不敢保證可以做到。

於是我們現在開始探索其他辦法。

我覺得會有其他辦法。

剛開始我們能做到很好的電子元器件密度和成本控制，但如果我有EUV，我能做到更好。

所以我們現在還在想辦法利用EUV製作7納米晶片，但我們絕不敢打包票說一定能行。

」

EUV是什麼？它為什麼這麼重要？EUV全稱紫極外光刻（Extreme Ultraviolet Lithography），是一種利用波長只有13.5毫微米的「極紫外」光線製作晶片的最新高科技技術。

現在其他非EUV的光刻技術用的是波長為193毫微米的「深紫外」光線。

如今掌握最頂尖EUV技術的是一家荷蘭高科技公司阿斯麥（ASML Holding N.V），該公司生產的紫極外光刻機能利用雷射等離子體技術製作晶片。

但這項技術目前還在不斷研發改進中，還不能用它大規模量產晶片。

整個半導體行業都依賴於EUV

2015年7月，英特爾公司宣稱由於半導體產業現在面臨諸多挑戰，所以摩爾定律節奏開始變慢了。

把晶片生產工藝提高到10納米確實十分具有挑戰性。

在EUV技術完全成熟之前，半導體產業別無選擇只能退而求其次使用其他非EUV技術。

不過阿斯麥公司堅定表示EUV技術「仍然是把摩爾定律帶回正規的關鍵所在。

」

為什麼非EUV技術不能勝任10納米以下規格的晶片製造？這是因為非EUV設備的光束波長太長，很難做到10納米規格那麼細微的生產工藝。

這也不利於晶片生產廠商降低成本。

誠然，一旦EUV技術開始正式投入使用，那麼晶片生產廠商必然能重回摩爾定律發揮作用的時代。

台積電聯合CEO劉德音（Mark Liu）說，「我們已經在EUV技術生產晶片方面取得重大進展，比如用EUV技術製作5納米晶片。

」這也可能意味著雖然台積電計劃在今年內開始量產10納米晶片，但不一定會使用EUV技術生產10納米晶片，甚至7納米晶片也不一定能用得著EUV。

到2017年至2019年，英特爾將會開始投產三種10納米晶片，它們分別叫做Cannonlake，Icelake和Tigerlake。

到2018年，台積電的7納米晶片有望進入市場。

要不是藉助了強大的EUV技術，台積電的10納米晶片將很難與英特爾的相抗衡。

結論

阿斯麥公司是目前全世界唯一在EUV技術和生產設備上初獲成功的公司，其競爭對手日本 Gigaphoton株式會社雖然被遙遙領先，但後者也在這方面取得了一些重要進展。

Gigaphoton成立於2000年，是最有望稱為繼阿斯麥之後的全球第二家EUV技術和設備供應商。

對於晶片生產廠商來說這是一件好事，有競爭才能有發展。

正如阿斯麥所宣稱，EUV能讓摩爾定律重回正軌。

如果所言屬實，那麼我想鑒於英特爾已經和阿斯麥達成了一筆40億美元的研發資金和股權投資協議，英特爾的業界領先地位就沒那麼容易被台積電超越了，包括三星和格羅方德也是一樣。