EUV或將決定半導體產業方向，通快加緊布局

近日，TRUMPF公司CTO及股東Peter Leibinger在談到令人著迷的 雷射 創新時重點提及極紫外光刻，也就是我們常說的EUV。

他認為，EUV令人著迷的原因是其極富挑戰性及對世界的重要影響。

Peter Leibinger

「如果我們無法實現EUV突破，摩爾定律將失效」 Peter Leibinger表示：「其影響範圍不僅僅是晶片行業，智慧型手機產業乃至整個電子裝備產業都將改變運作方式。

」

什麼是EUV？

極紫外光刻（Extreme Ultraviolet Lithography），常稱作EUV光刻，它以波長為10^-14nm的極紫外光作為光源的光刻技術。

具體為採用波長為13.4nm 的軟x 射線。

在半導體晶片及集成電路製造領域，目前主要採用193nm浸沒光刻技術對晶片上的精細特徵進行圖案化。

但是，193nm浸沒式光刻在80nm間距(40nm半間距)下達到極限。

為此，從22nm / 20nm開始，晶片製造商開始使用193nm浸沒光刻以及各種多種圖案化技術。

為了減小超過40nm的間距，多個圖案化涉及在晶圓廠中使用幾個光刻，蝕刻和沉積步驟的過程。

隨之而來的就是製程成本及周期時間的增長。

為了解決這些問題，晶片廠商開始將目光轉向EUV光刻。

相對於193nm浸沒式光刻，EUV光刻可以提供更高的k1，在提供高解析度的同時擁有較大的工藝窗口，從而減少光刻工藝複雜性。

正式基於這些優勢，EUV吸引了晶片製造廠商及設備廠商的廣泛關注。

三星公司表示，接下來的7nm工藝將採用EUV光刻。

在英特爾方面，雖然還沒有明確EUV光刻導入時間，但是也將其作為未來重要製程技術之一。

在產生極紫外光的各種光刻工具里， 雷射器 發揮重要作用。

為此，TRUMPF公司在EUV領域重點投入。

與ASML公司建立合作關係

2015年ASML向TRUMPF公司訂購了15台EUV光刻工具，而ASML則是全球EUV光刻領域領導者。

TRUMPF公司也表示將積極布局極 紫外雷射器 。

此外，TRUMPF公司也投資7000萬歐元在德國迪琴根建設一座占地34000平方米的工廠，主要用於生產極紫外光刻所需要的雷射器產品。

對於接下來即將出現的EUV訂單，TRUMPF公司充滿信心。

而ASML公司也預計其客戶將在2018至2019年後，開始將EUV光刻技術使用在晶片量產上。

因此，在2020年前，第一批搭載以EUV光刻技術生產的晶片的電子裝備將上市。

實際上，ASML公司接到的未出貨訂單已經高達21台。

另外，在柔性平板顯示屏製造中紫外雷射器應用需求也將進一步增加，這些都是TRUMPF公司對於EUV重點投資的原因。

收購Access Laser公司完善布局

近日，通快公司宣布收購Access Laser公司85%股份。

Access Laser公司主要生產高精密低功率 CO2雷射器 用於極紫外光刻（EUV），這也是通快公司主要的投資方向之一。

作為光源，該CO2雷射器和通快雷射放大器共同部署於EUV系統。

通快公司表示，通過此次收購將整合EUV技術供應鏈領域關鍵成員。

通快公司CTO及股東Peter Leibinger表示：「Access Laser是我們EUV業務的核心夥伴，一家富有創新力的 雷射企業 。

此次收購之後，兩家公司將更加緊密地合作以推進EUV技術發展，服務更多的應用及客戶。

」

經過多年的持續發展，EUV技術工藝逐漸成熟，這為公司銷售帶來很大促進作用。

Access Laser創始人及董事長張永方表示：「Access Laser一直富有創新精神。

此次在EUV技術領域的合作，成功展現了Access Laser和TRUMPF兩家公司的協作關係。

」

成立於1999年，Access Laser在美國和中國擁有超過60名員工。

其產品包括輸出功率在10mW到50W之間，峰值功率高達1KW的精密雷射器，應用於醫學、電子及科研領域。

此次收購價格，暫未對外公布。