科創板分析：國之重器中微半導體未來前景如何？

中微半導體是中國最主要的半導體設備公司之一。

公司於 2004 年設立，創始人尹志堯博士是全球知名的半導體行業專家。

在創立中微之前，曾在 Lam Research，Applied Material 等美國主要半導體設備公司負責領導刻蝕技術開發，擔任高級管理職位，自身擁有 89 項美國專利和 200 多項海內外發明專利，有著非常豐富的相關經驗。

截至 2018 年底，公司研發人員及工程技術人員達到 381 人，占比58%，研發人員 240 人，占比 37%。

主要產品：（1）等離子刻蝕設備包括電容性等離子體刻蝕設備（CCP）以及電感性等離子體刻蝕設備（ICP）。

公司主要產品為 CCP，成立初期開始研製，用於刻蝕氧化物、氮化物等硬度高、需要高能量離子反應刻蝕的介質材料。

公司從 2012 年起開始開發ICP，ICP 主要用於刻蝕單晶矽、多晶矽等材料。

（2）公司從 2010 年開始研發 MOCVD設備，目前已成為市場上最大的 LED MOCVD 供應商。

公司在開發等離子體刻蝕設備和 MOCVD 設備的過程中，始終強調創新和差異化：電容性等離子體刻蝕設備：開創性地推出甚高頻去耦合等離體子刻蝕技術；電感性等離子體源：創造性地設計新型電感線圈架構，極大減少電容性耦合引起的不良作用；MOCVD 設備：設計精確定位的托盤鎖定機制。

電容等離子體刻蝕設備核心技術概況

財務狀況：（1）2018 年公司整體收入規模達到 16 億元，同比增長 69%，凈利潤 9,100 萬元，同比增長 204%。

其中刻蝕設備收接近 6 億元，同比增長 96%，出貨 71 台腔體；MOCVD收入 8 億元，同比增長 57%，出貨 106 台腔體。

（2）公司 2018 年刻蝕設備毛利率為 48%，與 AMAT 等同業競爭對手處於相當水平，MOCVD 毛利率為 26%，低於 Veeco/Aixtron 的36%/44%。

（3）公司 2018 年研發投入占比達到 25%，相較 2017 年占比 34%有所下滑。

公司收入、凈利潤及增速

公司毛利率、凈利率及費用率

公司現金流情況

公司資產負債率

刻蝕是半導體核心環節，細分板塊為寡占局面

行業地位：刻蝕是半導體製造中核心的三大環節之一，市場空間百億美金。

根據 SEMI統計，全球半導體設備從 2013 年的 318 億美元增長到 2018 年的 621 億美元，CAGR達到 14.3%。

晶圓製造環節總體可包括刻蝕、光刻、沉積、檢測、塗膠顯影等數十類，而刻蝕、光刻和沉積則是其中最重要以及投資占比最大的三個環節，分別達到24%、23%以及18%。

行業趨勢：（1）邏輯類晶片製程提升，刻蝕道數顯著增加；存儲類晶片 3D 結構對刻蝕設備縱深比等要求增加。

邏輯晶片方面，由於普遍使用的浸沒式光刻機受到波長限制，14nm 及以下的邏輯器件需要通過多重模板效應來實現，因此刻蝕所占的道數顯著提升。

根據 SEMI 統計，20nm 所需的刻蝕步驟為 50 次，而 10/7nm 所需的刻蝕步驟則超過 100 次。

NAND 從 2D 結構向 3D 結構演進，集成度的增加主要依靠堆疊的層數，因此刻蝕設備需要實現極高的縱深比。

（2）中國市場需求激增。

由於中國市場激進地進行產線擴張，使得對於設備的需求量大幅度增加。

根據 SEMI 統計，2018年中國半導體設備銷量同比增長 56%，占據全球市場的 21%，成為僅次於韓國的第二大市場。

競爭格局：行業進入壁壘高，細分板塊呈現寡占局面。

（1）全球半導體設備公司前五大包括 AMAT、ASML、TEL、Lam Research 以及 KLAC，占據市場 65.1%的份額。

其中，ASML 在光刻機設備行成壟斷，市占率 80%左右；AMAT、TEL 以及 Lam Research 是刻蝕以及沉積領域的三強，市占率分別達到 19%、20%以及 55%；KLAC 是檢測環節的龍頭公司，可以看出，半導體設備領域進入壁壘極高，尤其在光刻、刻蝕、沉積三大主要領域，細分市場基本都被前二或三大廠商占據。

（2）MOCVD 市場主要被中微、Veeco、Aixtron 三家所占領。

公司地位：目前半導體設備的自給率僅有 13%（中國電子專用設備工業協會統計），剔除 LED、面板、光伏等，集成電路相關設備自給率僅有 5%左右，而前道製造環節自給率恐怕更低。

與大多行程國產替代的國內半導體公司不同，公司在初期的立足點就是進入全球供應鏈，目前公司在半導體領域的前五大客戶包括台積電、中芯國際、海力士、華力微、聯華電子，而 LED領域也切入了三安光電、華燦光電等主流廠商，前五大客戶 2018 年收入占比達到61%。

中微半導體所處產業鏈位置

產業轉移帶來半導體設備投資紅利，刻蝕設備和MOCVD 設備國產化進程加快

根據SEMI統計，2017年按全球晶圓製造設備銷售金額占比類推，目前刻蝕設備、光刻機和薄膜沉積設備分別占晶圓製造設備價值量約24%、23%和18%。

全球半導體市場進入增長周期，迎來新一輪投資高峰。

受存儲器量價齊升推動，2017年全球半導體銷售額556億美元，同比增長21.6%，是2005年以來第2次實現了兩位數增長。

WSTS預測2018年將繼續增長9.5%。

2017年全球半導體設備銷售額556億元，同比增長37.2%，主要受韓國投資大幅增長推動，2017年韓國半導體設備銷售額179.5億美元，同比增長133%；SEMI預計2018年繼續增長8.1%，接力韓國，中國將成為增長最快的區域。

中國半導體消費市場的迅速發展，帶動中國半導體設備市場進入快速發展。

亞太及其他地區（包含中國）半導體銷售額占全球的比例由2000年的25.1%持續提升至2017年的60.4%，而中國地區作為其中的增長主力，在過去的20年里具備比亞太地區整體更顯著的份額擴張。

2016年中國地區占全球半導體消費市場的57.4%。

2017年中國半導體設備銷售額82.3%，同比增長27.4%，占全球的14.8%，是全球第三大設備銷售市場；從2018年開始，隨著諸多新投資產線陸續進入設備採購高峰，預計國內半導體設備市場將迎來快速增長。

對應巨大的需求缺口，中國半導體設備進口依賴的問題突出。

從需求端分析，根據SEMI統計數據，2018年半導體設備在中國大陸的銷售額估計為128億美元，同比增長56%，約占全球半導體設備市場的21%，已成為僅次於韓國的全球第二大半導體設備需求市場。

從供給端分析，根據中國電子專用設備工業協會的統計數據，2018年國產半導體設備銷售額預計為109億元，自給率約為13%。

中國電子專用設備工業協會統計的數據包括集成電路、LED、面板、光伏等設備，實際上國內集成電路設備的國內市場自給率僅有5%左右，在全球市場僅占1-2%，技術含量最高的集成電路前道設備市場自給率更低。

大陸半導體設備銷售額及增速（需求端）

國產半導體裝備產業銷售額（供給端）

國產品牌以封裝測試為主，晶圓製造環節占比相對較少。

封裝測試環節的技術含量較低，屬於勞動密集型，已成為我國集成電路產業鏈中最具國際競爭力的環節。

相比之下，IC製造屬於資本和技術密集型產業，開創晶圓代工先河的台積電憑藉著先發優勢迅速占領市場，2016年代工市場份額58%，遙遙領先其他企業。

而中芯國際作為國產品牌代表這幾年發展較快，2016年收入28億美元，逐步逼近聯華電子，但與台積電差距較大，短期內不存在超越可能。

半導體的發展已經上升到國家戰略層面

國家政策支持力度空前，先後出台《國家集成電路產業發展推進綱要》、《鼓勵集成電路產業發展企業所得稅政策》等政策，從稅收、資金等各個維度為半導體產業給予扶持。

《綱要》明確提出到2020年，IC產業與國際先進水平的差距逐步縮小，封裝測試技術達到國際領先水平，關鍵裝備和材料進入國際採購體系，實現跨越式發展。

同時設立產業基金，幫助其併購國際大廠，或與國際大廠通過合資設立新公司方式進行合作。

這一系列政策顯示出國家扶持半導體產業的決心。

《國家集成電路產業發展推進綱要》總體目標