聯發科減少28nm訂單是合適的，更應選用16nm

台媒報導，全球第二大手機晶片企業聯發科在上周確定減少對台積電 6 月至 8 月約三分之一的訂單，在當前的環境下是一個合適的選擇，轉而採用16nmFinFET工藝和10nm工藝可以更好的應對高通等晶片企業的競爭。

2016年聯發科大賣的晶片是helio P10，當時中國大陸兩大手機品牌OPPO和vivo大量採用該款晶片，在OV兩家的出貨量連續翻倍增長的情況下，聯發科的出貨量也節節攀升，甚至一度在中國大陸市場的份額超過高通，而helio P10正是採用台積電的28nm工藝。

去年三季度高通的中端晶片驍龍625轉而採用三星的14nmFinFET工藝，先進工藝帶來了更好的性能，特別重要的是降低了功耗。

驍龍625是八核A53架構，在14nmFinFET工藝的支持下，表現出了優異的性能和功耗，據測試該款晶片在運行大型遊戲等應用時候運行非常穩定。

高通的中高端晶片驍龍653則繼續採用台積電的28nm工藝，驍龍653為四核A73+四核A53架構，A73本就是高性能高功耗的核心，驍龍653雖然較驍龍625有更高的性能，但是被發現出現一定的發熱問題，在運行大型遊戲時候會由於發熱量太大性能迅速下降以保持晶片的正常運行。

在驍龍625的優異表現影響下，高通今年推出的中高端晶片驍龍653的繼任者驍龍660已確定轉而採用三星的14nmFinFET。

在高通全面轉向更先進的14nmFinFET工藝情況影響下，聯發科理所應當放棄落後的28nm工藝。

不過聯發科今年的錯誤在於它太過於激進，其高端晶片helio X30和中端晶片helio P35都直接跳過台積電的16nmFinFET轉用最先進的10nm工藝，希望通過引入先進的工藝實現在中高端市場同時挑戰高通的目標。

結果卻因為台積電的10nm工藝並沒能如期在去年底量產，正式量產後又遭遇了良率過低的問題被迫進行改進，這就導致了聯發科的helio X30一再延期，如今中國大陸手機品牌普遍已放棄採用該晶片。

聯發科的helio P35如果能在二季度量產還能獲得了一些中國大陸手機品牌採用，如果延遲到三季度投產的話那時候又要與蘋果的A11處理器搶10nm工藝產能，從台積電一直優先照顧蘋果的情況來看真到那時P35的量產必然又只得再延期了。

在這種情況下，偏偏聯發科還遭遇了另一個問題，那就是中國移動早在2015年底就宣布要求手機廠商和晶片廠商要支持LTE Cat7以上技術，中國移動占有中國智慧型手機市場約六成市場份額，對智慧型手機市場有重要的影響力。

聯發科在helio X30和P35上市之前，其他手機晶片都只能最高支持LTE Cat6技術，這也是中國大陸手機品牌紛紛放棄聯發科晶片的重要原因之一。

筆者認為，聯發科在當下應該放棄10nm工藝，轉而採用台積電的16nmFinFET或該工藝的改進版即12nmFinFET，這兩項工藝技術成熟，產能充足，而在能效方面比三星的14nmFinFET更先進，同樣有助於它與高通競爭，以迅速穩住當下正逐漸流失的中國大陸手機品牌客戶。