英特爾將推出7nm產品，密度提高2倍，台積電壓力無限放大

英特爾英特爾今天舉行了2019年投資者會議，這是自2017年以來的第一次，執行長鮑勃·斯旺宣布英特爾將於2021年推出其7納米工藝，以挑戰台積電的5納米產品。

現在來看，英特爾的Xe顯卡勢必將成為領先的7nm產品，其將在2020年推出英特爾第一款分立式10nm GPU之後推出。

該公司還推出了其首個冰湖架構框圖，並宣布其新的10nm Tiger Lake處理器將在2020年進入市場。

英特爾過去沒有正式公布其7nm工藝的時間表，但斯旺表示，這種快速跟進10nm工藝反映了工藝節點生產的加速。

考慮到該公司在其長期推遲的10nm節點上遇到的困難，這一點並不完全令人驚訝，該系列將在6月份上市。

英特爾還宣布，數據中心的Xe GP-GPU(通用圖形處理單元)將成為第一個上市的7nm產品，將於2021年上市。

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斯旺指出，該公司的毛利率將隨著調整其10納米至7納米的產量而增加。

英特爾7nm將是該公司首次採用EUV(極紫外)光刻技術工藝大規模生產，與10nm相比，其密度提高了2倍。

它還將在其7nm產品中大量使用EMIB和Foveros封裝。

英特爾還預計電晶體性能將提高15%，每瓦性能提高20%。

英特爾Murthy Renduchalata博士深入研究了英特爾在邁向10nm工藝時所遇到的困難，例如在10nm設計目標上承擔過多風險。

該公司計劃通過重新定義流程開發的期望來解決這個問題。

英特爾還計劃將重點放在其新節點的節點內優化上，這意味著其所有未來流程技術都需要更多「+++」步驟。

未來，英特爾計劃在每個節點的開頭提供一個摩爾定律增益，並在節點的最終修訂時提供另一個。

正如你在上面的圖表中所看到的，英特爾將在2021年將其10nm ++節點與7nm重疊，7nm將在2022年完全占據主導位置。

英特爾將在Xe圖形架構中使用其EMIB(嵌入式多晶片互連橋)和3D Foveros技術。

英特爾還透露，新的GP-GPU設計將為exascale Aurora超級計算機提供動力。

英特爾公司的Murthy Renduchintala博士還公布了該公司新MCM(多晶片模塊)設計的概念設計(右)，其中包含幾個XPU晶片，這些晶片表明它們不是CPU，而是與面料捆綁在一起。

鑒於英特爾通過EMIB為其Xe Graphics引用了異構架構，這可能是Xe圖形架構的潛在渲染。

我們正在尋求確認。

英特爾還公布了其10nm Ice Lake處理器的第一個框圖。

我們已經知道這個設計採用了Sunny Cove核心架構。

英特爾稱，Ice Lake的圖形性能為2倍(由Gen11集成顯卡提供)，AI性能為2.5倍至3.5倍，Coffee Lake晶片的無線速度為3倍。

我們可以看到，英特爾堅持其環形總線架構，而不是遷移到其更新的網狀設計，並在晶片上集成了USB Type-C控制器。

英特爾英特爾還將在2019年和2020年為客戶端和伺服器市場，10nm AgileX FPGA，10nm Nervana NNP-I，10nm通用GPU和Snow Ridge 5G-ready SoC發布10nm CPU。

英特爾英特爾還將在2020年上半年推出10納米伺服器。

英特爾宣布，Ice Lake-SP數據中心處理器已經向主要客戶發貨，其14納米Cooper Lake處理器有望實現2020年交付。

該公司表示，這些新處理器將擁有比現有型號更多的內核。

從長遠的角度來看，英特爾正在努力縮短伺服器處理器發布之間的延遲，大約每四到五個季度發布一次。

斯旺表示，14nm晶片供應將繼續改善，預計第四季度將全面上市。

英特爾還宣布今年不會建立任何新的NAND產能，但將在今年下半年推出96層NAND產品。

在快閃記憶體前端推進之前，英特爾還在探索合作夥伴關係。

據傳，英特爾將紫光集團(Tsinghua Unigroup)作為潛在的合作夥伴，將在NAND生產開展系列合作。