國產14nm工藝來了!未來十年內,晶片工藝達到「領先」水平
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中國半導體行業本就比較弱,但你可能沒想到,作為半導體行業中最重要的環節,中國大陸的晶片工藝要比晶片自研更加薄弱,一直都是中國晶片廠的痛點,即便是華為能夠設計出麒麟晶片,但也需要依靠藉助台積電生產。
前些時候有媒體報導,美國打算將「從美國獲得的技術」比例從25%調整到10%。
也就是說時,只要使用美國標準的技術超過10%,就說明這是美國技術,而最受影響的就是華為,因為一旦落實,華為麒麟晶片可能無法使用台積電的先進工藝。
雖然後來這個消息被台積電否認,但從這個事件的出現,處處不反映著華為所面臨的困境,只有自己把握住智慧財產權才是硬道理,所以作為中國大陸最大的晶圓代工廠,中芯國際未來之路任重而道遠。
此前中芯國際已經表示,自家14nm工藝已經在試產了,今年就會迎來一輪爆發,年底有望達到目前的3-5倍,同時今年還有希望試產更先進的7nm工藝。
另外外媒也有報導,2025年中國本地PC和伺服器的處理器30%有望在境內設計與製造。
據了解,中芯國際14nm工藝早在2015年就開始研發,2019年已經解決了技術問題。
之前有媒體還報導,中芯國際高管表態稱14nm工藝的良品率已經達到了95%,技術成熟度還是很不錯的。
不過對於中芯國際而言,良率達到只是第一道門檻,大規模量產是一個更大的門檻,這個過程最需要的就是客戶,需要有14nm工藝的客戶需求,需求量越高產能才有可能建設得更大,在這一點上,中芯國際還處於初期階段,相比三星、台積電劣勢明顯。
不過對於14nm工藝而言,三星和台積電都已經過了折舊期,所以中芯國際的工藝在成本上優勢明顯,而且中芯國際也只能依靠中國大陸的客戶支持。
至於產能問題,2019年底,14nm工藝只有3000到5000晶圓/月,不過2020年的增長可能會很快,年底有望達到15000片晶圓/月,將是目前規模的3到5倍。
中芯國際14nm工藝未來還有望改進到12nm FinFET工藝,按照官方的介紹,主要是電晶體尺寸進一步縮微,功耗可降低20%、性能提升10%、錯誤率降低20%。
再往後,中芯國際還有N+1及N+2代FinFET工藝,其中N+1代工藝有望今年內小規模量產。
不過中芯國際並沒有介紹這個「N」指的是哪種工藝,考慮到之前有報導稱,中芯國際會跳過10nm工藝,那麼N+1極有可能就是7nm節點了,意味著今年內我們就可能看到更先進的7nm工藝,即便是不跳過10nm,今年內能夠量產10nm工藝,意味著跟三星、台積電只落後一兩代,已經處於主流水平了。
此前有分析師認為,中國本土的晶圓加工廠到2030年有望達到世界領先水平,2020年將是中國半導體行業的一個分水嶺,未來中國科技公司能夠掌握多項先進的半導體技術,期待那一刻的到來!
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