動態隨機存取顆粒與快閃記憶體持續喊漲，主要原因是市場各式需求大增，其次為晶圓廠產能策略調整。

現今有太多電子設備會用到這兩類產品，智慧型手機的配備規格直逼個人計算機，是這波漲勢關鍵之一。

像旗艦機型所配備內存，3～4GB 容量算是基本值，有些廠商更喊出要直上8GB，而內部儲存空間64甚至128GB也司空見慣。

除了智慧型手機需求大增，先前我們曾提過如伺服器市場，在2016年的需求強勁，這和智慧型手機更加普及化有所關聯。

象是大家日常所使用微信、Facebook等各式網絡服務，隨著使用者人數與上傳內容數量增加，服務商自然有擴建機房設備的必要。

伺服器少不了存儲模塊，甚至是極大量的儲存設備，可見這波漲勢環環相扣。

各式動態隨機存取顆粒的合約價格，最近幾個月以來的平均漲幅達15～30% 不等，雖然市場供需失衡，晶圓廠想要增加產能也有些分身乏術。

被指是動態隨機存取存儲器漲價主要推手的Samsung，據悉絕大多數產能已經由自家手機，以及Apple等廠商所包下。

想當然耳，還可以供應其他手機廠、伺服器與個人計算機存儲體的產能，自然是相對有限。

Samsung在半導體製程轉換，以及生產良率等方面都占有相對優勢，較Micron、SK hynix等競爭對手來得順利又早。

因此即便其他廠商想盡辦法擴充產能，看似能改善市場供需失衡問題並增加營收，基於成本因素實質獲利卻不見得會有多麼理想。

想當然耳，其他廠商自然不會去做這種殺敵一千、自傷八百的舉動，倒不如沾光坐收漁翁之利。

DDR4模塊零售通路市場參考價格信息。

以Micron DDR4-2133 8GB模塊為例，去年6月底價格僅850元（台幣），現在已經漲到1,429 元，漲幅約為 68%之多。

半導體廠商的謀略

快閃記憶體供需失衡同理，尤其晶圓廠想要增加供應量也不是那麼容易，畢竟產能和動態隨機存取顆粒有連動關係式。

再者，Samsung、Micron、Toshiba、SK hynix幾大廠，近來陸續積極加速轉進3D NAND製程世代。

但是過程當然沒有那麼順利，而且各家目前所能做到的堆棧數量不一，以致實際供應量說不上是很充裕。

更甚者，為了增加3D NAND 產能與出貨量占比，廠商還策略性減少傳統2D架構產品供應量。

這跡象在去年中即可察覺，上、下游市場不斷傳出缺貨的消息，這讓下游的固態硬碟製造商只能減產，並且加速開案導入3D NAND。

這問題也被預估將會加重，2D NAND在總出貨量總占比，今年下半年可能剩下不到50%。

總而言之，動態隨機存取顆粒與快閃記憶體漲聲響起，影響範圍可謂相當全面性。

即使是一再被唱衰的個人計算機，存儲模塊價格老早已經漲了，至於固態硬碟是製造商硬撐著，可預期今年價格應該難以再創新低。

眼看農曆年即將到來，打算升級、新組裝計算機的人，可別以為最近漲價的產品只是因為紅包行情，存儲模塊甚至是固態硬碟還會貴一陣子。

編輯：張毅