內存銷售額創紀錄背後的喜與憂

2020-09-19

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根據IC Insights的最新數據顯示，DRAM和NAND這兩種內存類型的銷售額在今年將創下歷史新高。

但是故事的主角已然不是本該作為中流砥柱的技術，而是價格。

當手機廠商供應鏈缺貨的消息一波波接踵而至的時候，嗅覺敏銳的半導體廠商已經意識到，在今年的手機大潮中，技術已經淪為了故事的配角，這種情況在DRAM和NAND內存市場尤其突出。

是的，三星、SK海力士、美光這樣的內存大廠在這場大戲中悉數到場，大張旗鼓，加碼內存晶片布局的舉措真可謂是應接不暇，頗為熱鬧。

不論是原本作為主角的智慧型手機還是其他的手機零部件，即便缺貨情況也是真實存在的，但是與內存相比，不免有些相形見絀。

創記錄的內存銷售額

就DRAM而言，根據Trendforce公司旗下DRAMeXchange事業部公布的最新統計數據，就在2017年前三個月中，內存組件的整體銷售額達到創紀錄的141億美元，較上年同期增長達13.4%。

另外，與2016年第四季度進行比較，2017年第一季度的PC DRAM組件平均銷售價格增長了至少30%。

與此同時，伺服器與移動市場亦因此受到嚴重影響，其中移動DRAM產品的價格平均上漲近10%。

在這種情況影響之下，三星作為市場王者，營收達到63億美元，較上個季度增長6.8%且目前占據整體市場份額的44.8%。

實際上，三星近幾年已經嘗到了來自晶片市場的甜頭，晶片產品成為和面板一樣的利潤奶牛。

摩根史坦利就表示，半導體部門營業利潤占據三星電子第二季度總營業利潤的60%以上，該部門的營業利潤主要來自存儲晶片。

而外界普遍預測，在半導體晶片業務的帶動下，三星電子第二季度利潤有望創歷史新高。

可以說，內存晶片銷售額暴漲，將使三星電子首度超越全球最大半導體製造商英特爾。

除了三星，美光也在DRAM價格上漲的影響下出現了營收的大幅度增長。

數據顯示，內存晶片銷售額暴漲，將使三星電子首度超越全球最大半導體製造商英特爾。

另一方面，2017年第一季整體NAND Flash市況延續第四季持續受到缺貨影響，即使第一季度為傳統NAND Flash淡季，渠道顆粒合約價卻仍上揚約20-25%。

受到中國智慧型手機以及SSD的需求動能帶動，加上整體NAND Flash庫存水位偏低，推昇平均售價(ASP)季成長約15%，雖然SK海力士第一季度位元出貨量(bit shipment)較去年第四季下降3%，但所有產品線均維持穩定的獲利水位。

三星第一季SSD占整體產品組合比重已超過四成，且平均銷售價格隨著市場缺貨而上揚，因此，第一季營收雖然較去年第四季度衰退5.8%，但其NAND Flash的營業利益率卻較前一季提升。

天壤之別的出貨量

中國快閃記憶體市場ChinaFlashMarket於今年年初發布了一份《2016年度快閃記憶體產業報告和2017年市場分析》，指出2016年整個快閃記憶體產業就被漲價、缺貨、3D NAND等籠罩，晶片價格上漲超過了80%。

今年5月1日，半導體權威研究機構IC Insights發布的報告顯示，2017年Q1與2016年Q1相比，DRAM的平均價格同比上漲了45%，NAND快閃記憶體的價格也同比增長了40%。

IHS的統計報告也指出，DRAM和NAND在未來五年都會有3-6倍的需求增長。

因此在這樣的供需矛盾影響下，存儲類元器件50%的漲幅實屬正常，並且未來還會繼續看漲。

但是銷售額的暴漲，根本原因卻不是出貨量的增加。

就DRAM而言，IC Insights預計2017年實際出貨量將會有所下降。

此外，NAND出貨量與2016年相比，僅僅增長了2%。

對於DRAM和NAND兩個內存市場而言，銷售強勁的年增長率幾乎完全是快速上升的平均銷售價格（ASP）驅動的。

平均銷售價格的增長從2016年開始就已經初現端倪。

資料顯示，2016年4月DRAM ASP為2.41美元，然而2017年1月ASP已迅速揚升至3.60美元，漲幅達49%。

IC Insights預估2017年DRAM與NAND Flash ASP將會分別大幅年增37%與22%。

天災人禍的內存市場

為什麼會出現這種內存價格的大幅度增長呢？具體來說，主要有以下幾點原因：

首先，內存良率問題。

三星在 2017 年 2 月中旬陸續召回部分序號的 18 納米製程的內存模塊，並且再重新出貨給客戶之後，仍然發生有瑕疵的狀況。

而且，此事件已影響了名列前茅的 PC 大廠在 DPPM (每百萬台的不良率) 有大幅提升的狀況。

市場原本預計，在進入 2017 年第 2 季之後，因為有三星 18 納米的 PC DRAM 內存模塊與美光 17 納米的 PC DRAM 內存模塊相繼出貨，供貨吃緊的狀況應該可以得到緩解。

不料，三星繼上次召回有瑕疵的 18 納米製程的 PC DRAM 內存模塊之後，近期再次出貨的情況仍舊沒有改善，還因而造成 PC大廠在 DPPM ( 每百萬台的不良率) 有大幅提升的狀況。

而除了三星之外，美光的 17 納米製程 PC DRAM 內存模塊也碰上相類似的情況。

甚至以目前出貨給客戶的樣本來看，良率還低於 50% 以下。

在 17 納米製程的 PC DRAM 內存模塊良率有問題的情況下，美光又無法再回頭提供 20 納米製程的產品給客戶，這也使得美光陷入兩難的狀態。

以上兩種情況，也為 2017 年 DRAM 市場的供貨狀況與價格變化再投下不確定因素。

其次，天災不斷。

在內存產能得不到擴大的情況下，本來情況就已經夠糟糕了，但是屋漏偏逢連夜雨，內存工廠又接連出事。

不久前的7月1日，台灣美光晶圓科技發生氮氣外泄事故，導致廠內晶片和設備受到了污染，事故至少造成6萬片晶圓報廢。

此次受到影響的工廠為台灣美光晶圓科技的Fab2，廠房為雙子星結構，場內可容納2座12寸晶圓廠，工廠產能達到月產12萬片以上。

由於去年美光與華亞科正式合併，該廠最早開始轉入20nm製程，產品線也擴充至移動設備中的LPDDR4。

對於上述事件，TrendForce存儲器儲存研究(DRAMeXchange)表示，報廢的6萬片晶圓約占全球DRAM產能5.5%，鑒於目前DRAM市場供貨吃緊的狀況，加之停工引起的產能中斷，預計未來內存價格還將進一步上漲。

以上兩點可以是抬高DRAM的主要原因。

第三，各大內存廠商大部分支出主要都用於推動技術進步，而不是用於增加產能。

具體來說，三星、SK海力士和美光在2017年上半年DRAM方面無新增產能，疊加下游內存需求不斷增長，DRAM合約價在淡季也明顯上漲。

在NAND方面，三星、SK海力士和美光在2017年基本上所有的快閃記憶體支出都用在了3D NAND快閃記憶體上面，而不是用於擴大產能，即便是在今年投入的產能也不可能在短期內減小，但是要知道快閃記憶體缺貨情況並不是一兩日的光景了。

內存廠商在研發新技術的時候忽視了市場對於產品的需求，不可以不說是人禍。

最後，爆發的市場需求。

造成 NAND Flash 大缺貨的原因，主要因為各種電子用品的滲透率提高，加上新興市場使用者從功能性手機轉進智慧型手機，帶動相關儲存需求急速攀升。

各家NAND Flash廠為競逐儲存容量更高的3D NAND，去年開始都調撥產能投入3D NAND Flash生產，結果因良率未達預期，造成全球NANDFlash大缺貨，今年首季更寫下歷年來淡季最大漲幅。

那麼如何解決這一問題呢？擴大產能可以說是勢在必行的一步。

近日，有消息顯示，三星計劃投資近3萬億韓元(約合人民幣183億元)，擴充位於京畿道華城工廠17線DRAM產能。

若投資完成，華城工廠將再沒有多餘空間，三星計劃在17線生產增產DRAM、3D NAND快閃記憶體以及系統半導體。

總結

從內存銷售創紀錄和出貨量增長不大，我們應該注意到，市場對於DRAM和NAND的需求依舊非常緊迫。

儘管2017年DRAM的平均銷售價格會在今年下半年放緩，但是全年的平均銷售價格增長率依舊達到了63%。

對於NAND的平均銷售價格來說，2017年也將創下新高，預計會達到33%。

在市場需求與產能的雙重壓迫下，才造成了如今內存市場產品價格居高不下的局面。

雖然對於全球半導體產值來說，內存價格的上漲是一個好消息，據Gartner最新發布的統計顯示，全球半導體產值受到內存價格上漲，今年將首破突破4,000億美元，達到4,014億美元，年增16.8%。

但是我們應當深刻的注意到這種情況出現的深層次原因。

在這一輪市場增長中，技術已經不再是推動市場的主要動力，這與市場在技術的推動下的實現良性增長完全是背道而馳。