产品技术 - 中微半导体

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设备还采用了多区细分的高动态范围温控静电吸盘,使加工出的集成电路器件的关键尺寸达到高度均匀性。

Primo nanova适用于1X纳米及以下的逻辑和存储器件的刻蚀应用。

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它可以配置多达六个刻蚀反应腔和两个可选的除胶反应腔。

其中刻蚀反应腔采用了轴对称设计,具有高反应气体通量。

ICP发射天线采用了中微具有自主知识产权的低电容耦合3D线圈设计,可实现对离子浓度和离子能量的高度独立控制。

反应腔内部涂有高致密性、耐等离子体侵蚀材料,以获得更高的工艺重复性和生产率。

设备还采用了多区细分的高动态范围温控静电吸盘,使加工出的集成电路器件的关键尺寸达到高度均匀性。

Primonanova适用于1X纳米及以下的逻辑和存储器件的刻蚀应用。

产品特点 轴对称腔体设计 低电容耦合3D线圈设计 高抽速大容量涡轮泵 精密的腔体温控系统 先进的高致密性、耐等离子体侵蚀涂层工艺 多区细分的高动态范围温控静电吸盘 阻抗可调聚焦环设计 切换式双频偏压系统 可选的集成除胶反应腔 竞争优势 离子浓度和离子能量独立可控 高排气量和更宽的工艺窗口 超凡的刻蚀均匀性 优异的高深宽比刻蚀性能 高生产效率,低生产成本(CoO) 关于中微 产品技术 投资者关系 新闻活动 招贤纳士 产品支持 ©2019中微半导体设备(上海)股份有限公司沪ICP备05053603号-1沪公网安备31011502002759号



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