五款晶圓首秀，英特爾展現製程工藝領導力

北京2017年9月21日電 /美通社/ -- 在9月19日於北京舉行的英特爾精尖製造日上，英特爾在其展示區域和主題演講上展示了五款晶圓。

這是英特爾首次公開展示這五款晶圓，彰顯了英特爾在製造領域取得的巨大進步。

這五款晶圓包括：英特爾10納米Cannonlake、英特爾10納米Arm測試晶片、英特爾22FFL、14納米展訊SC9861G-IA和14納米展訊SC9853I。

英特爾Cannonlake採用10納米製程工藝，不僅擁有全球最密集的電晶體和金屬間距，還採用了超微縮特性，這兩大優勢保證了密度的領先性，比競爭友商的「10 納米」技術領先了整整一代，計劃於2017年下半年開始生產。

超微縮可釋放出多模式方案的全部價值，使得英特爾得以繼續摩爾定律的經濟效益。

英特爾10納米Cannonlake

英特爾與Arm在10nm的合作取得了長足進步。

英特爾10nm CPU測試晶片流片具有先進的Arm CPU核， 使用行業標準的設計實現，電子設計自動化(EDA) Place and Route工具和流程，性能高達3GHz以上。

ARM同時正在開發高性能存儲器、邏輯單元和CPU POP套件，以進一步擴展下一代ARM CPU在英特爾10nm技術上的性能水平。

英特爾10納米Arm測試晶片

- ARM Cortex A75: Intel 10nm 測試晶片

• 在12周內從RTL 至首次Tape Out
• 標準英特爾10nm工藝
• 最新的軟體測試結果 > 3.3GHz
• 250uW/MHz

英特爾22FFL（FinFET 低功耗）平台旨在推動FinFET的大規模應用。

它具備：

英特爾 22FFL

卓越集成能力

• 一流的 CPU 性能，主頻超過 2 GHz
• 超低功耗，漏電率降低 100 倍
• 22 納米+ 製程，每平方毫米 1,780 萬個電晶體
• 全面的 RF 設計支持

快速上市速度

• 行業最易使用的FinFET 製程
• 成熟生產平台，具備業經驗證的22/14 納米特性
• 經過晶片驗證的移動/物聯網 IP 組合
• Arm 庫和 POP 套件
• 英特爾架構處理器 IP 套件
• 交鑰匙代工服務與支持

Cost-effective的設計

• 與業界28納米的平面(planar)工藝相比在成本上極具競爭力
• 單模式互聯和寬泛的 DFM 規則
• 無複雜的襯底偏壓要求

理想應用

• 入門級/經濟型智慧型手機
• 車載
• 可穿戴設備

展訊的 SC9861G-IA 和 SC9853I 移動 AP 均使用英特爾的 14 納米低功耗平台製造而成，這兩款移動 AP 分別於 2017 年 3 月和 8 月推出，同時還使用了英特爾 Airmont CPU 架構。

14納米展訊 SC9853I

14納米展訊 SC9861G-IA

英特爾的 14 納米平台適用於製造需要高性能和低漏電功耗的產品

• 第二代 FinFET 技術
• 行業領先的 PPA，每平方毫米 3,750 萬個電晶體
• 一流的 CPU 性能，主頻超過 2.5 GHz

快速上市速度

• 業經驗證的 14 納米 HVM（大規模量產） 技術
• 經過晶片驗證的移動/網絡 IP 組合
• 交鑰匙代工服務與支持

兩個平台滿足您的全部產品需求

• 通用 (GP)
• 低功耗 (LP)

理想應用

• 主流移動
• 數據中心