成了！三星官宣完成5納米EUV工藝研發
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中關村在線消息：4月16日，三星在官方網站宣布目前三星電子已經成功完成5nm EUV開發，將能實現晶片的更大面積擴展並帶來超低功耗。
三星
三星電子表示其5nm（納米）FinFET工藝技術的開發已完成，並能給客戶提供樣品。
與7nm相比，三星的5nm FinFET工藝技術將邏輯區域效率提高25%，性能提高10%，功耗降低20%，能夠帶來更多創新的標準單元架構。
三星電子鑄造業務執行副總裁Charlie Bae表示「成功完成5nm開發，已證明了我們在基於EUV的節點中的能力，我們將努力加速基於EUV技術的批量生產。
」
三星在2018年10月就宣布準備並初步生產採用EUV光刻技術的7nm工藝，三星目前已提供業界首批基於EUV的新產品的商業樣品，在今年年初將開始量產7nm工藝。
（文中圖片來自網際網路）
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