率先突破！三星開始量產10nm晶片 Galaxy S有望配備
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【TechWeb報導】10月17日消息，據國外媒體報導，三星今天宣布已經開始批量生產具有10納米FinFET技術的SoC晶片，將成為業界率先實現這一突破的公司，這也是繼2015年1月成功批量生產業界第一款FinFET移動應用處理器之後的成果。
三星將成為高通驍龍830高端處理器的獨家代工商，這些晶片都將使用10納米工藝生產，而有望於明年初發布的新款Galaxy S手機，將有半數使用這種晶片。
三星電子代理業務部執行副總裁Jong Shik Yoon表示：「業界首批大規模生產10nm FinFET技術產品，證明了我們在先進工藝技術方面的領先地位，並表示公司將繼續推進縮放技術。
」
與14nm工藝相比，新型10nm FinFET工藝使用先進的3D電晶體結構，對工藝技術和設計進行了進一步改進。
三星表示，這使得面積效率增加了30％，性能提高了27％，功耗降低了40％，第二代10nm處理器將在明年下半年批量生產。
（周林）
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