存儲器需求迎超級周期 價格將漲到明年一季度 三星涉嫌壟斷被約談

在新的全球信息化浪潮背景下，全球範圍出現半導體存儲器短缺。

有觀點認為，半導體行業進入了需求呈跨越式增長的「超級周期」階段。

而在供應短缺以及高增長的背後，壟斷之勢也越發明顯。

據數據調查顯示，僅三星電子、SK海力士、英特爾、美光科技以及東芝半導體等五家美日韓半導體企業，幾乎壟斷了全球95%左右的存儲器市場。

而作為全球最大的電子產品的生產地、消費市場，讓中國成為這一波漲價最大的承壓市場。

近期，諸多手機廠商紛紛投訴，讓監管機構盯上了已經持續漲價6個季度、並且明年一季度仍會繼續漲價的存儲晶片。

據報導，發改委已經就此問題約談三星。

目前，還未確定是否會對後者發起反壟斷調查。

三星持續加大投入 獲利豐厚

12月20日三星電子宣布，已啟動新型DRAM（動態隨機存儲器）的量產。

該存儲器的電路線寬為最尖端的10納米（10億分之1米）級。

三星通過微細化將生產效率提高了3成，將應對全球不斷增長的數據中心需求。

三星是全球最大的存儲晶片廠商，其DRAM產品市場占比約48%，NAND Flash產品市場占比約35.4%。

DRAM、NAND Flash是存儲晶片兩大主力產品，前者主要用於內存，後者用於存儲數據的快閃記憶體。

據業界人士預估，在三星今年260億美元半導體資金中，3D NAND Flash約為140億美元，DRAM約為70億美元。

面對如此「誘人」的存儲器市場，三星電子完全無法忍住誘惑。

據消息透漏，三星電子計劃於2018年將DRAM價格上調5%左右，並且會加大3D NAND Flash技術研發的投入。

以目前市場來看，存儲器主要分為DRAM和NAND Flash兩大類。

據分析機構中國快閃記憶體市場（CFM）提供數據，2017年，全球存儲晶片市場規模950億美元，其中DRAM約503.5億美元，NAND約400億美元。

在DRAM方面，全球DRAM價格持續七個季度高漲，是歷來漲勢最久的一次。

2016年Q3，存儲晶片因市場供不應求開始進入漲價通道，並引起手機、固態硬碟、內存條等產品陸續漲價至今。

儲存晶片的價格在一年內已經暴漲了300％！大部分業界人士預測，此漲勢將持續至2018年第二季度。

在NAND Flash方面，全球NAND Flash產線出現2D向3D轉移的現象，且3D NAND 在SSD產品上的應用也日趨增多，至此快閃記憶體市場供應得到緩解。

據手機廠商人士透露：「存儲，已經超過螢幕、CPU，成為手機最大的成本。

占據總成本25%-35%，出貨量不是非常大的手機廠商根本談不下價格。

」

值得一提的是，2017年Q2，得益於存儲晶片價格持續上漲，三星半導體部門收入157.3億美元，超過英特爾的147.63億美元，首次成為全球最大晶片企業。

今年7月，三星曾宣布將投資20.4兆韓元（約合180億美元）的新投資，用於發展在韓國的半導體製造工廠。

有價格壟斷聯盟嫌疑？

多位業內人士猜測幾大寡頭之間存在價格聯盟，畢竟，這一價格聯盟在2000年期間曾經出現，後被美國司法部處以7.3億美元罰款，屬於當時美國歷史上第二大反壟斷罰款。

2002年美國司法部向美光、三星、海力士、英飛凌等公司發出傳票，控告其價格壟斷行為，並於隨後啟動調查。

美國司法部認定，三星在1999-2002年間存在價格壟斷行為，其間DRAM在美國銷售額達到12億美元，這些銷售額按照20%比例處以罰款，達到2.4億美元。

反觀存儲器廠商漲價的背後，其實也不難看出三個重要因素：國內存儲器技術人才匱乏，導致技術研發速度過慢；原材料價格的不斷上漲，導致投入過高；存儲器增長過快，產能過剩的風險隨時將至。

中國市場會有哪些玩家可以抗衡？

隨著中國龐大的資金，以及地方政府的資源進軍半導體中的存儲器領域，已經形成了福建晉華、合肥長鑫與紫光集團三大陣營。

其中福建晉華專注利基型內存的開發，主攻消費型電子市場；合肥長鑫則直搗國際大廠最核心的行動式內存產品。

此外，中國正積極吸收專業人才，其中不乏台灣的建廠人才，以及日韓的技術人才。