三星將基於5nm/7nm打造採用ARM A76架構的IP
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三星的7nm工藝，選擇直接導入先進的EUV（極紫外光刻）技術，由此在進度上稍顯吃虧，尤其是落後自己的「宿敵」台積電。
在6月初ARM宣布新的 Cortex A76公版架構 時，樣片就是由台積電的7nm打造，當時頻率最高達到了3.3GHz，參考值也達到了3GHz。
這種局面，三星當然不會坐視。
7月5日，三星電子在韓國舉辦的鑄造論壇期間宣布， 和ARM（安謀）的戰略級代工合作推進到7nm/5nm上。
具體來說，由三星7nm LPP和5nm LPE打造的A76晶片可以實現3GHz以上的頻率。
台積電版ARM A76性能效果圖
三星還透露， 7LPP將從2018年下半年開始早期生產，採用EUV技術的IP預計明年上半年完工。
除了CPU和GPU，三星還拿到了ARM的Artisan physical IP授權，包括全套的內存編譯器、1.8V/3.3V通用輸入輸出庫等等，可加速開發過程、優化開發結果。
另外，三星還確認其路線圖推進到了3nm GAAE（Gate-All-Around Early）工藝。
那麼問題了，除了Exynos，三星的7nm A76晶片會有高通、華為這些客戶嗎？ （來源：驅動之家）
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