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三星攜手ARM優化7nm及5nm製程晶片

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三星7納米LPP製程將在2018下半年初步量產，第一款使用EUV極紫外線光刻技術的智慧財產權（IP）也在研究，預計2019上半年正式問世。

三星下一代5納米LPE製程則以7納米EUV製程技術改良，帶來更小的核心面積，以及更低功耗。

三星為了追趕台積電，在首代的7納米（LPP）製程中導入EUV技術。

不過，台積電也非省油的燈，除了積極布局7納米製程技術之外，2018年初也已經宣布在南科啟動5納米建廠計劃，正式投入5納米製程的研發。

因此，三星為了能縮減與台積電的差距，5日正式宣布攜手智慧財產權大廠安謀（ARM），雙方協議將進一步優化7納米及5納米製程晶片。

ARM之前也發表了以三星7納米LPP製程及5納米LPE製程為基礎的Artisan物理IP，包括高解析邏輯架構、存儲器編譯器綜合套件、1.8V及3.3V通用型之輸入輸出（GPIO）庫等。

此外，三星7納米LPP製程及5納米LPE製程，該技術可達成最佳化ARM處理器，並更快推向市場。

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