根據台積電公布的新聞稿，台積電於2019年9月30日在美國、德國及新加坡三地對格芯提出多項專利侵權訴訟，控告格芯侵犯台積電涵蓋成熟及先進位程技術核心功能的25項專利，涉及技術包括FinFET設計、淺溝槽隔離技術、雙重曝光方法、先進密封環及閘極結構，以及創新的接觸蝕刻停止層設計等，這些技術廣泛應用在40nm、28nm、22nm、14nm及12nm等製程。

此外，台積電此訴訟中亦要求法院核髮禁制令，禁止格芯生產及銷售侵權之半導體產品，以及對非法使用台積電半導體專利技術與銷售侵權產品之格芯尋求實質性的損害賠償。

對台積電而言，提出侵權訴訟舉動不單是檯面上的反擊，更有機會迫使格芯評估彼此在冗長訴訟過程可能造成的損失。

目前台積電未公布確切侵權的專利號碼，但從專利包含的技術層面來看，與格芯提出的頗有些相似之處，因此在侵權判斷上可能會依循相同的邏輯或判斷原則，代表若一項專利侵權勝訴，相對應或類似的另一項專利也有勝訴可能，反之亦然。

如此一來，或許較難定義出絕對的勝利者。

假使這類情況出現，不管對格芯或台積電都將會是兩面刃，損傷對方戰力的同時卻不一定能利己，有鑒於此，雙方尋求和解或互相撤銷告訴的機會就可能增加，將彼此的損失做最小化處理方為上策。

台積電與格芯訴訟涉及重點製程，若出現利益傷害則競爭對手或有受惠可能

分析雙方提出訴訟涉及的製程範圍來看，格芯瞄準台積電主要極具產品競爭力的製程，即28nm、16nm、12nm、10nm及7nm，在2019年第二季占比達45%，尤其台積電7nm業績良好，產能持續擴增，估計28nm以下製程營收占比將持續上升，是格芯瞄準能牽制台積電的重要目標。

此外，格芯是目前市場上極力推廣SOI相關產品的廠商之一，在台積電鮮少著墨SOI技術的情況下，或許也希望藉由專利侵權訴訟效果來提升自家的FD-SOI技術市占率。

另一方面，台積電訴訟涉及的製程範圍雖影響不到格芯的FD-SOI相關產品，但範圍擴及格芯的成熟製程40nm，且在格芯停止研發7nm製程後，轉而力求優化12nm製程效能表現。

因此台積電提出有關FinFET閘極設計、雙重曝光方法及接觸蝕刻停止層設計等相關專利，對格芯也就有著不小的潛在可能影響；倘若專利証實侵權，等於又進一步抑制格芯在晶圓代工第二梯隊的競爭優勢。

值得一提的是，雙方瞄準的製程範圍影響層面廣且重要性之高，或許也會讓競爭對手尋找得利的機會點。

無論從技術發展或營收來看，Samsung與聯電正好是台積電與格芯最主要的競爭對手，若此番訴訟的結果讓雙方互傷元氣，可能給予Samsung與聯電追趕的契機。

尤其聯電與格芯在技術與營收上相近，加上聯電在日本完成的收購計劃與格芯 2020年將交割廠房，倘若格芯在法律過程中有所損失，相信會縮小領先聯電差距，甚或有被聯電超越的機會。