高端存儲器研發再獲突破 集成電路國產化進程加快
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近日,長江存儲和中科院微電子研究所聯合承擔的3D NAND存儲器研發項目取得新進展,32層3D NAND晶片順利通過電學特性等各項指標測試,達到預期要求,成功實現了工藝器件和電路設計的整套技術驗證,向產業化道路邁出具有標誌性意義的關鍵一步。
存儲器作為我國集成電路支柱產業,目前主要依賴進口,我國對DRAM和NAND Flash產品需求占全球消費量的比例超過20%。
同時,存儲器也是半導體產業資本支出最高的領域,占整個行業的38%。
3D NAND作為一種創新的半導體存儲技術,通過增加存儲疊層實現存儲密度增長,拓寬了存儲技術的發展空間,但其結構的高度複雜性給工藝製造帶來全新的挑戰。
目前在3D NAND領域,三星量產了48層產品,64層和90層產品正在研發中。
在大數據需求快速增長的驅動下,存儲器晶片已成為電子信息領域市場份額最大的集成電路產品,潛在市場空間巨大。
為加快存儲器國產化進程,國家半導體基金對該領域的投資力度加大。
去年12月由紫光集團聯合國家集成電路產業基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投資建設的國家存儲器基地項目,在武漢東湖高新區正式動工建設,該項目總投資240億美元,主要生產存儲器晶片。
據了解,該項目將建設3座全球單座潔凈面積最大的3D NAND Flash
Fab廠房,一期項目計劃2018年建成投產,到2020年完成整個項目,該項目總產能將達到30萬片/月,年產值將超過100億美元。
存儲晶片作為集成電路的三大品類之一,目前廣泛應用於內存、消費電子、智能終端和固態存儲硬碟等領域,其銷售額占整個晶片產業的比重超過25%。
賽迪顧問(港股08235)數據顯示,2014
年我國存儲晶片市場規模達到2465.5億元,占國內集成電路市場份額的23.7%,國內存儲晶片基本依靠進口,每年進口存儲晶片的金額高達600億美元。
從市場份額占比來看,截至去年第三季度,三星電子在全球DRAM存儲器領域的份額達到50.2%,SK海力士占24.8%的份額。
在NAND Flash領域,三星電子的全球市場份額為36.6%,SK海力士占10.4%的份額。
在政策大力扶持和國家科技重大專項的引領下,我國存儲器產業將步入快速擴容期,並帶動半導體設備及材料產業發展。
國際半導體協會(SEMI)公布的2016年和2017年全球新建晶圓廠超過19座,其中有10座建於我國。
按照政策目標,我國集成電路市場規模占全球60%,但自給率僅為27%,到2020年晶片自給率要達到40%。
隨著存儲器技術的不斷突破將帶動材料設備和封測產業快速增長,國產化進程有望加快。
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