國產存儲晶片形成三大陣營，能否突破國際壟斷？

摘要：9月11日，長江存儲宣布開始量產基於自主研發Xtacking架構的64層三維快閃記憶體(3D NAND)，容量256Gb，以滿足固態硬碟(SSD)嵌入式存儲等主流市場應用的需求;合肥長鑫存儲在9月20日的2019世界製造業大會上宣布，公司總投資約1500億元的DRAM晶片自主製造項目正式投產。

近年來，國內企業在NAND、DRAM存儲晶片領域持續發力，打破了國際廠商的產品壟斷。

但產品還處於量產初期，外企主導的市場地位很難撼動。

存儲晶片是電子信息領域的重性點戰略基礎元件，應用範圍極其廣泛。

隨著5G時代的逐漸來臨，5G網絡將廣泛的應用於AI人工智慧、大數據、IOT平台等領域，豐富的使用場景必將帶來海量的數據，這其中會爆發巨大的存儲市場需求。

同時，數據存儲的安全性關乎國家信息安全，因此發展擁有自主智慧財產權的存儲晶片是國家戰略所在。

我國存儲器市場需求龐大，但國產存儲晶片供給不足

存儲產業具有強周期性和高成長性，下游新興市場不斷湧現使得存儲器需求旺盛。

中國是全球最大的半導體消費市場，存儲晶片的國內市場仍有待挖掘，潛力巨大。

2008-2015年中國NOR Flash市場規模從33.5億元達到了49億元，NAND Flash晶片從45.9億迅速增長到了939.2億元。

雖然2018年存儲器產品價格受智慧型手機出貨量下降等因素下降較為明顯，但多樣化的市場需求使得存儲器銷售仍較為可觀。

從中國海關數據來看，2018年我國進口晶片金額達到3120.58億美元(約合人民幣2.06萬億元)，創出歷史新高。

其中存儲晶片進口金額達到1230.7億美元，占集成電路進口總額的38%且呈上升趨勢，其比重超過CPU、手機基帶等熱門晶片，國產存儲晶片供給嚴重不足。

圖1 2014-2018中國大陸集成電路及存儲器進口額情況

(資料來源：中國海關總署)

全球存儲器市場呈現高度壟斷局面

存儲產業資金及技術門檻較高，在全球經歷產業轉移和企業兼并之後，市場呈壟斷競爭格局。

從當前DRAM的全球市場份額來看，三星、SK海力士和美光占據了95%以上的市場份額，其中兩家韓國企業合計占有72%的份額，具有控制全球DRAM產品價格的實力，其他競爭對手很難突破目前的市場競爭格局;在NAND Flash市場，前5大企業占據了99%的市場份額，寡頭壟斷明顯;NOR Flash領域我國有兆易創新排在前列，其他領域國內廠商的技術與規模差距明顯，自主產品亟待突破。

圖2 2017年全球DRAM及NAND市場份額占比

(資料來源：金智創新行研中心整理)

國內存儲企業不斷實現技術突破，未來可期

存儲晶片是半導體行業最重要的產品，其銷售額約占全球半導體行業總額的1/3。

目前，我國在存儲晶片領域還處於落後狀態，但隨著國內政策及產業基金的不斷扶持，國內龍頭企業已經實現了重大的技術突破，與國際一流產品的代差在逐漸縮小。

長江存儲是我國存儲領域的龍頭企業，2018年企業已經實現了32層3D NAND的小批量生產，2019年基於自主研發Xtacking架構的64層3D NAND存儲器實現批量化生產，預計2020年底其可望將產能提升至月產6萬片晶圓的水平。

這是中國首次實現64層3D NAND快閃記憶體晶片的量產，將中國與全球一線存儲廠商間的技術差距縮減至兩代。

業內預計到2020年，長江存儲將直接跳躍到128層3D NAND的目標，繞開主要NAND製造商生產的96層快閃記憶體晶片，屆時我國將達到世界一流廠商水平。

合肥長鑫是是中國大陸唯一擁有完整技術、工藝和生產運營團隊的DRAM公司，其DRAM產品19nm級第一代8Gb DDR4年底開始投產，滿產後可以達到每月36萬片產能，且其重新設計的DRAM晶片，最大限度的減少了對美國原產技術的使用，以避免像福建晉華一樣被美國制裁而出現生產停滯。

表1 我國存儲領域產能分布

(資料來源：金智創新行研中心整理)

結語

我國半導體產品對外依存度高，國產替代空間巨大，疊加政府在政策、資金、稅收等方面給予大力支持，及半導體產業向國內轉移的大趨勢，中國存儲產業將迎來關鍵發展機遇。

目前，在存儲領域國內企業已在奮力追趕，形成長江存儲、合肥長鑫、紫光存儲三大陣營，分別專注於NAND Flash、DRAM和利基型DRAM。

隨著中國存儲器產品逐步成熟、關鍵技術的不斷突破，國內存儲晶片將與國際領先廠商的差距越來越小，國產替代未來可期。

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