天時地利人和，兆易創新深度布局存儲晶片產業鏈

集微網消息，在半導體領域「得存儲者，得天下」，這句話一點都不誇張。

2017年三星正是借著全球存儲晶片大漲價之際，一舉將英特爾挑下台，成為了全球最大晶片製造商。

根據SIA公布的數據顯示，2017年全球半導體銷售金額為4200億美金，其中僅存儲晶片銷售就達1200億美金。

這也意味著，存儲晶片占據整個半導體領域三分之一市場。

在相當長的一段時間裡，受限於技術、資金、專利、人才等制約，中國在存儲晶片領域基本處於空白。

不過，近幾年這一情況正在發生變化，以兆易創新為代表的中國公司正在快速崛起。

兆易創新NOR Flash打進三星旗艦機供應鏈背後

就在本月初，來自拆解網站iFixit拆解報告顯示，兆易創新已成功打進三星旗艦智慧型手機供應鏈，旗下32Mb的序列式NOR Flash獲三星的Galaxy S9採用。

有行業人士表示，雖然在存儲晶片中NOR Flash是相對門檻較低的一類，但此次兆易創新進入三星旗艦機供應鏈仍能說明兆易的技術與供應鏈保證能力。

過去幾年，兆易創新在NOR Flash領域上演逆襲之路。

2005年朱一明從美國矽谷回到中國後創辦了兆易創新，一開始就選擇了中國處於空白地位的存儲晶片領域。

在他的帶領下，公司在技術和市場領域飛速發展，先後推出國內第一顆 Serial Flash產品、第一顆靜態存儲器及IP技術、第一款 GigaROM 產品，開創了中國存儲器製造先河。

不僅在技術上，在市場上兆易創新也獲得認可。

據IHS的最新數據顯示，截止到2017年第三季度，兆易創新的NOR Flash市場份額高達8%，全球排名第五。

在序列式NOR Flash領域，公司更是從2013年就已經成為了全球三大供應商之一，累計出貨量達到100億顆。

「在技術和市場成熟的NOR Flash領域，兆易創新的取勝秘訣絕不僅僅是性價比。

比如，當前供應鏈保證能力也是公司的核心競爭力之一。

」一位行業人士說道。

事實上，去年開始存儲晶片行業大的背景是缺貨與漲價。

而兆易創新憑藉與外協廠商多年積累的良好協作關係，優化供應鏈管理，調配各供應商產能，同時強化供應鏈各環節的產銷銜接，針對新產品、新應用開發、新技術和新流程，降低成本，提高良率，維持穩定供貨。

例如，在去年9月兆易創新為保障長期穩定的產能供應，進一步增強競爭優勢，與中芯國際簽署《戰略合作協議》。

該協議為供貨合作協議，合同標的為原材料晶圓，協議約定至2018年底採購金額為12億元或以上。

IoT浪潮爆發將繼續推動兆易NOR Flash成長

除了自身實力不斷提升外，兆易創新NOR Flash 業務高成長還受到巨頭的退出與產業環境利好多種因素疊加。

2017年2月，美光科技宣布剝離旗下NOR晶片業務，轉而全力衝刺DRAM和NAND Flash。

4月，賽普拉斯表示，將退出中低容量的NOR Flash市場，專注高容量的車用和工規領域。

美光與賽普拉斯逐步退出不僅推動2017年NOR Flash 市場的價格，而且也給兆易創新來了更多的市場空間。

分析師預測，NOR Flash國產滲透的空間足夠滿足兆易創新未來3年預測期出貨量15%、20%和25%的成長。

當然，行業要發展最根本還是要有市場需求推動，這一輪存儲晶片漲價缺貨潮根本還是IoT產業的爆發。

NOR Flash作為代碼型快閃記憶體晶片，主要用來存儲代碼及部分數據。

目前除了傳統的應用領域如手機、機頂盒、電視等提供穩定需求之外，智能家居、智能建築、智能車輛和無人機等新興的應用領域也在大舉導入NOR Flash作為存儲驅動程序代碼的存儲設備，為NOR Flash帶來新的需求增量。

而兆易創新很早就看到了這一市場趨勢。

此前公司公告稱，針對物聯網（IoT）市場，公司推出了超低功耗的NOR Flash 產品；適用性廣泛的1.65V~3.6V寬電源電壓 NOR Flash 產品實現量產；適用車載和高性能市場，支持 DDR 接口的高速度傳輸速率 NOR Flash 研發成功並量產；公司持續推進先進工藝技術，NOR Flash 穩步推進 45nm NOR Flash 產品研發，保持在 NOR Flash 技術的業界領先，為公司在高容量產品的市場擴大和產品競爭力做好技術儲備。

NOR+NAND+DRAM全產業鏈布局，打造全球存儲晶片龍頭

在NOR Flash領域站穩只是兆易創新的第一步。

相比NOR Flash 市場規模僅有30億美元，DRAM、NAND Flash 動輒300億-400億美元的量級，這一領域才是兆易創新未來重點開拓的市場。

在NAND Flash業務方面，公司自研NAND Flash已在2017年Q3季度量產，目前產品性能和可靠性超過一般市面同類產品。

同時，公司還在研發不斷推進24nm NAND。

在DRAM領域，2017年10月26日，兆易創新與合肥產投簽署了合作協議，雙方合作開發19nm的12英寸晶圓存儲器研發，項目預算約為180億元。

依據1:4負責籌集資金，目標是在2018年12月31日前研發成功，即實現產品良率(測試電性良好的晶片占整個晶圓的比例)不低於10%。

從大的方向上看，目前兆易創新正在構建NOR+NAND+DRAM 全存儲晶片產品體系。

在國家產業政策的支持、市場與資本助力下，兆易創新正處於天時、地利、人和的絕佳歷史窗口期，相信經過這一輪的產業發展與變革，兆易創新有望成長為全球存儲晶片龍頭。