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猿說半導體：Samsung Tech Day

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三星電子(Samsung Electronics)於10月18日在SamsungTech Day發布近期與未來的發展信息，包括以下幾點：

1.使用極紫外光(EUV)微影技術的7nm製程。

2.堆棧500層以上的NAND、第二代Z-NAND與高帶寬內存(HBM)。

3.帶有FPGA的Smart SSD、Key Value Storage SSD(KV SSD)及原生乙太網NVMe SSD等。

圖為SamsungTech Day現場

據Forbes報導，三星宣布已完成所有製程開發，並表示已開始透過EUV微影技術，生產7nm LPP(Low Power Plus)晶圓。

三星並並在此次說明會上推出了幾款RAM新品，包括全球首個基於立體堆棧(3DS)與10nm 16 Gb DDR4 DRAM的256GB RDIMM，稱該產品著重於in-memory資料庫、分析與其他伺服器應用，以及用於高效能運算的二代HBM2 Aquabolt。

圖為型號為M393AAG40M32-CYF的RDIMM

至於SSD的部分，三星的SmartSSD包括帶有Arm內核FPGA的NVMe SSD，可提供加速數據處理並繞過伺服器CPU限制，三星表示SmartSSD將具有更高的處理性能、更快的洞察時間、更多的虛擬機(VM)、更好的重複數據刪除及壓縮管理能力，同時具備更低的功耗。

圖為Samsung NF1 SSDs

三星並推出用於企業與數據中心的QLC SSD，每個Cell單元的儲存容量比TLC-SSD多33%，同時還展示堆棧500層以上V-NAND結構的路線圖；此外三星推出第二代高效能Z-SSD，並稱將成為史上最快的SSD，

圖為Samsung Z-SSDs

具有Dual Port，還將採用PCIe 4.0接口，具有12GB/s序列讀取速度，比主流SATA SSD 快20倍。

看完這場說明會小猿覺得國產半導體廠商的追趕步伐要加快了呀。

在最後小猿附上發布會的詳細內容地址，有興趣的小夥伴可以去看看呦：www.samsung.com/semiconductor/insights/

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