國產替代加速，半導體及晶片迎來空前機會

近期美國公布了一項出口細則，意圖通過頒發新規來直接打壓和切斷華為的全球晶片供應鏈，這條新規規定，無論是美國企業，還是海外其他晶片企業，只要使用美國相關的晶片技術或者是設備，就不能向華為隨意出售晶片或提供服務，需要先向美國提出申請。

這次新規的頒布對於華為而言是致命的打擊。

由於美國在晶片製造和研發，以及半導體原材料生產上都具有先天的技術優勢，此次其憑藉壟斷地位壓制我國晶片供應將會對我國依賴半導體行業生產的企業帶來沉重打擊。

目前國產替代和自主可控的呼聲越來越高，我國晶片產業去美國化勢在必行！

近日受美國打壓華為，限制晶片供應影響，半導體行業受消息面影響下跌後又迎來強勢大反攻，可謂是「滿血復活」，國產替代是目前半導體產業鏈最核心的邏輯，目前我國半導體本土設計、製造、封測、存儲等環節不斷突破，部分領域已追趕至國際水平，晶片領域發展勢頭迅猛。

為什么半導體板塊最近大熱，晶片概念股持續走強？晶片雖小，卻是國之重器，因為晶片是信息產業的基石，晶片的自主可控是國家信息安全的根本，目前與人民生活水平息息相關的關鍵行業，比如醫療、消費電子新能源、工業、通信、網際網路、汽車等，一般用於這種重要行業的都是運用的高端晶片製造技術，而高端晶片只有部分一線半導體設備製造公司才能生產。

通過觀察近年來的中國半導體自給自足率水平，我們可以得出近年來我國半導體設備銷售規模是逐年增長的，由於近幾年美國對中國晶片製造上進行技術封鎖，所以近幾年我國的國產替代化進程加快，中國IC設備的自給自足率水平得到提升。

半導體設備與半導體製造工藝也是密切相關的，半導體製造工藝及其繁瑣複雜，其中從工藝角度講，分為矽片製造、晶圓加工、和封裝測試，其中晶圓加工所需的設備投資最大，大約占整個半導體製作的75%-80%。

由於近期美國對華為實行禁止晶片供應的措施，我國半導體行業自主可控和國產替代進一步被提上日程，中國晶片製造去美國化迫在眉睫。

在半導體製造工藝中，晶圓加工所耗時間最長，所需成本也最大，對材料要求極高，氮化鎵作為我國第三代半導體材料成為當今需要關注的熱點題材。

我國的半導體材料經歷了三代，如今第三代的半導體材料性能更加穩定，主要運用於抗輻射、高頻、大功率的高端電子產品製造。

氮化鎵是目前最前端的半導體材料，預計到2023年複合增長率達90%以上。

氮化鎵應用十分廣泛，既可以應用於高端產品製造，也可以運用於低端日常消費品製造。

氮化鎵主要應用於高頻波段應用， 三大應用領域是LED（照明、顯示）、射頻通訊、高頻功率器件。

功率半導體是電動車的核心，LED是顯示設備的核心，射頻是5G通訊的核心，這三者的基礎都是氮化鎵，所以氮化鎵是半導體材料的王者，是半導體製造不可缺少的原材料。

目前不管是晶片製造工藝，還是半導體材料，都得益於中央對晶片領域的密切關注和政策傾斜迎來了空前的利好。

雖然此次美國的技術封鎖給我國晶片供應帶來了極大的壓力，但是有壓力也會帶來新的動力，美國施壓將會促使我國加快研發國產晶片的步伐，我國晶片實現自主可控和去美國化正在進行中！晶片領域也具有了空前的發展機會！