一面湖水，打掉牙往肚裡吞，三星強裝笑臉送梁孟松入中芯國際？！

作為鰭式場效電晶體（FinFET）的發明者，三星、台積電能做到14nm/16nm都依賴這項技術的傳奇人物，出生於北京豆芽菜胡同，他是導師胡正明！

作為胡正明的關門弟子，梁孟松在半導體產業是無人不識，2009年，梁孟松被冠上台積電叛將名號後，註定是個歷史留名的人！ (adsbygoogle = window.adsbygoogle || []).push({params:{"google_ad_client":["ca","pub","2923"+"1528"+"6638"+"5027"].join("-"),"google_ad_slot":"7278175363","google_ad_layout":"in-article","google_ad_format":"fluid","google_ad_channel":"8692429741"}});

梁孟松加入中芯國際？

業界知名的14納米高手梁孟松和三星的合約在2017年到期，不少人希望他能立刻加入中芯國際。

梁孟松2009年從台積電離開時，還曾經多次與台積電打官司，幾經周折才正式加入三星。

最近，韓國方面傳出，梁孟松在8月第一周已開始休長假，梁曾經表達可以幫助中芯國際做出最先進的14納米製程。

國內半導體無論是中芯國際或華力微電子，都止步於28納米階段，中芯國際的28納米雖有高通（高通）相助，旦目前只有PolySion製程，高階HKMG多年來一直未真正量產，而華力微挖了聯電的團隊後，現在正關起門埋頭苦幹。

梁若是離開三星直接赴中芯國際任職，無論是行業規則，還是三星強勢阻擋的作風，都與常規極度不符，但如果中國強力介入談判，恐怕也不是問題。

對三星而言，一是非常需要中國龐大的市場，二是在中國已經下了很多投資，如西安12寸廠已經是三星全球3D NAND的主要基地，即使作風強悍如三星，當值錢家當掐在我們手上時，恐怕也得要忌憚三分。

量價齊飛

DRAM、存儲型快閃記憶體（NAND Flash）和編碼型快閃記憶體（NOR Flash）三大存儲器持續供貨短缺，創下史上罕見同缺記錄。

其中DRAM和NAND存儲器，更寫下史上最長漲勢，讓台灣地區擁有產能的南亞科、華邦電和旺宏，今明年營運火爆。

存儲器業者表示，2008及2015年都出現過DRAM大漲，但多是因跌深或供應商發生爆炸意外所造成的供需失衡，且DRAM和NAND Flash產能會排擠，很少看到兩大存儲器同漲。

三星登頂

三星今年打算耗資20兆韓圜擴充半導體生產線，尤其是3D NAND廠房，而SK海力士則打算砸下9.6兆韓圜、擴充計算機晶片產能。

內存需求發燒，三星電子營收暴增，踢下英特爾(Intel)，晉身全球晶片龍頭。

華爾街日報、美聯社7月底報導，過去1/4世紀以來，英特爾一直是全球晶片霸主，不過隨著計算機市場轉疲，英特爾光芒不再。

今年第二季，三星晶片部門營收為157億美元、營益為71億美元。

相較之下，英特爾營收為148億美元、營益為38億美元。

受益群體

三星（Samsung）

三星受惠於整體DRAM高市占率與製程領先，在Server DRAM上表現格外亮眼，整體在產品規劃與布局上也很成功，第二季度整體Server DRAM營收占整體市場比重為44.8%，來到19.85億美元，季增36.5%。

展望下半年，因今年DRAM產能擴增受限，且來自於數據中心的代工需求持續增溫，三星在下半年仍然會持續針對各家OEM/ODM調整供貨達標率，進而維持高獲利水位，與滿足主要客戶的需求。

SK海力士（SK Hynix）

SK海力士在第二季度Server DRAM營收上表現亮眼，季增28.2%來到13.77億美元；若以產品配置來看，SK海力士DRAM有部分產能從Low-Power DRAM轉移至Server DRAM，進而滿足整體市場的需求，也是帶動第二季度營收上揚的最主要原因。

從產能規劃來看，Server DRAM將占SK海力士DRAM產品比重約32%，部分產能將會隨著市產需求而略為調整，以維繫獲利水平。

下半年SK海力士將提供以21nm為主流的解決方案，除比重提高外，針對32GB模組的產出也是其下半年的主力。

美光（Micron）

受惠於整體DRAM缺貨，加上產品配置的調整，帶動美光營收成長，美光第二季度Server DRAM位元出貨量較前一季度成長外，平均銷售單價也躍升，而且20nm良率明顯增加，其Server DRAM產品營收成長22%，達到10.68億美元。

從產品面向來看，美光陸續提高其Server DRAM的比重以達到整體產品組合的最佳獲利水平，第一季度整體Server DRAM產出比重來到近三成，預計年底Server DRAM占比將會陸續提高進而滿足下半年延燒的需求。

中國機遇

由於全球的PC和智慧型手機繼續增加內存和存儲容量加劇存儲晶片缺貨情況所致，意味著存儲晶片漲勢持續。

在這樣的情況下，中國存儲晶片產業將迎來發展機會。

去年底就傳出中國存儲晶片企業紫光從台灣知名的存儲晶片企業南亞科引進數百位工程師，而紫光恰恰有發展自己的存儲晶片產業的雄心，其計劃在武漢、南京、成都三地建設存儲晶片廠，其通過收購武漢新芯股權將後者改名為長江存儲技術公司，目前武漢的存儲晶片廠已開工建設並計劃在明年開始量產3D N A N D快閃記憶體。

今年5月紫光集團全球執行副總裁暨長江存儲代行董事長高啟全(其曾任美光科技(M icronTechnology)台灣合資公司華亞科技董事長)表示，長江存儲已有近1900名研發人員，正在投入資源研發3D N A N D以確保明年正式投產3D N A N D，也在考慮研發20/18納米D R A M，紫光將保持開放的態度吸引全球存儲晶片技術人才加入，並有意與全球存儲晶片大廠美光合作。

在大陸已在存儲晶片技術上開始找到發展門路以及此前在面板產業上所取得的成功經驗的情況下，當下中國的PC和智慧型手機企業受到美日韓存儲晶片企業的掣肘，必然將讓中國加快發展存儲晶片產業，以避免中國製造向高端製造轉型的時候出現短板，或許數年後我們將可以看到中國存儲晶片產業擁有可以與美日韓競爭的實力。

市場換技術，不如自力更生，隨著中國在半導體領域的舉國發力，有望結束三星和海力士在存儲領域的統治地位！