「中國芯」突破寡頭壟斷要邁三道坎

今年伊始，已有多家中國企業宣布向半導體存儲晶片製造領域發起衝擊，面對已有的寡頭壟斷格局，他們能否取得突破？

去年存儲晶片產業火熱

知名市場研究公司Gartner近日發布了去年全球半導體市場初步統計報告。

報告顯示，去年全球半導體收入為4197億美元，同比增長22.2%。

供應不足局面推動存儲晶片收入增長64%，它在半導體總收入中的占比達到31%。

數據顯示，作為最大存儲晶片供應商，三星在去年半導體市場的份額達到14.6%，首次從英特爾手中奪走第一寶座。

自1992年以來，英特爾一直是全球最大晶片製造商。

存儲晶片占據了去年半導體總收入增幅的2/3以上，成為了最大半導體類別。

供應不足引發的價格上漲成為了推動存儲晶片收入增長的關鍵動力。

去年，NAND快閃記憶體晶片價格實現了歷史上的首次同比增長，增幅為17%;DRAM內存晶片價格增長了44%。

三星去年半導體收入為612.15億美元，同比增長52.6%，市場份額為14.6%，排在第一位；英特爾去年半導體收入為577.12億美元，同比增長6.7%，份額為13.8%，位居第二，主要受到數據中心處理器收入增長6%的推動。

英特爾PC處理器收入只增長1.9%，但是PC的平均售價在經過多年下滑後再次增長；SK海力士去年半導體收入為263.09億美元，同比增長79%，份額為6.3%，排在第三。

多家企業要造「中國芯」

去年與今年交接之際，重大晶元晶片項目落戶廣州，粵芯12英寸晶片製造項目在中新廣州知識城破土動工。

項目由廣州市金譽集團、半導體專家團隊、廣州開發區科學城集團共同設立，預計2019年上半年建成投產。

該項目投資總額約70億元，月產3萬片12英寸晶圓晶片，投產後年銷售收入30億元，達產後銷售收入100億元，將帶動上下游企業形成1000億元產值。

除了剛剛落戶廣州的重大晶圓晶片項目，就在近日，另外三家企業宣布向存儲器晶片製造發起衝鋒：分別是武漢長江存儲的32層3D NAND快閃記憶體、福建晉華的32納米DRAM利基型產品，以及合肥長鑫(睿力)的19納米DRAM。

三家企業都表示，要在2018年年底前將實現試產，開通生產線。

而與此同時，紫光也宣布在南京和成都剛再建兩個存儲器基地。

一時間，中國迎來了上馬存儲晶片製造的熱潮。

三星雄霸該領域已久

自上世紀90年代之後，全球存儲器製造呈現寡頭壟斷的局面。

其間奇夢達倒閉，美光兼并了爾必達，導致在DRAM領域全球僅存三家企業：三星、海力士與美光(台灣地區的多家加起來占5%，可以忽略不計)；而NAND快閃記憶體僅存四個聯合體：三星、東芝與西數、海力士及美光、英特爾，其中三星占壟斷地位，2017年它的DRAM占全球的45.8%，NAND占37%。

以月產能為例，依去年年初統計，DRAM方面，三星月產能12英寸40萬片，海力士30萬片，美光33萬片;NAND快閃記憶體，三星為40萬片，海力士為21萬片，美光與Intel為27萬片，東芝與西數(原閃廸)為49萬片。

總計全球存儲器的月產能約為12英寸矽片240萬片。

正是由於在存儲器晶片上的絕對強勢地位，三星在去年在半導體收入上一躍成為全球第一，超越了英特爾。

技術、成本、專利是三道坎

不過，Gartner預期三星的第一位置可能不會維持太長時間。

「三星的領先優勢並不穩固，主要依靠存儲晶片，」Gartner研究副總裁安德魯·諾伍德(Andrew Norwood)表示，「隨著中國擴大存儲晶片產能，存儲晶片的價格將在2018年走弱，NAND快閃記憶體晶片首當其衝。

DRAM內存晶片價格也將在2019年下滑。

我們預計，三星屆時將會損失大量收入。

」

中國企業衝鋒存儲器晶片製造，是否真有望撼動三星等巨頭地位？其實，這背後還有著中國突圍半導體產業的一種戰略性選擇。

業內人士指出，長期以來，中國在半導體晶片上一直處於弱勢地位。

中國半導體業面臨艱難的抉擇，現實的方案是可能在處理器(CPU)與存儲器之中二選一。

眾所周知，處理器已經投入近20年，現在選擇存儲器，是希冀從另外一個方向突圍，有新的斬獲。

不過，從現實情況看，中國存儲晶片製造還將面臨不小的挑戰。

「最基本的，產線需要大量的投資。

由於存儲器產品的特殊性，它的設計相對簡單，因此產品的線寬、產能、成品率與折舊，成為成本的最大項目。

」

半導體行業分析師莫大康分析，中國上馬存儲器製造，可能會面臨三個主要難關：技術、成本與價格、專利：對於第一個難關，突破技術難點，成功試產，對於中國存儲器廠商可能都不是問題；最困難的是第二個難關，產能爬坡，進入拼產品成本與價格的階段。

這兩者聯在一起、相輔相成，當成本增大時，產能爬坡的速率一定會放緩，很難馬上擴充至5萬到10萬片。

因為與對手相比，在通線時我們的產能僅為5000至1萬片，對手已超過10萬片，且其成品率近90%，而我們的成品率約為70%-80%，毋容置疑，成本差異非常明顯，因此，要看我們的企業從資金方面能夠忍受多長時間的虧損；第三個難關是專利糾紛，中國做DRAM怎麼能不踩專利的「紅線」，而且不可預測對手會如何出招，這是中國半導體業成長必須付出的代價。

近期，三星、美光、海力士、英特爾以及東芝都紛紛開始擴充產能。

從已有經驗來看，面對中國存儲器晶片製造的崛起，他們很可能會打「專利戰」，同時也會打「價格戰」，破除他們的壟斷，將是一場持久戰。

南方日報記者 姚翀 實習生 詹心怡