三星宣布7nm LPP量產！基於EUV光刻技術、性能增加20%

10月18日早間消息，三星官方宣布，已經開始進行7nm LPP（Low Power Plus）工藝晶片的量產工作。

據悉，三星的7nm LPP採用EUV光刻，機器採購自荷蘭ASML（阿斯麥），型號為雙工件台NXE:3400B（光源功率280W），日產能1500片。

簡單來說，EUV使用13.5nm波長的極紫外光曝光矽片，而傳統的氟化氬(ArF)浸沒式光刻則是依靠193nm波長，並且需要昂貴的多模掩模裝置。

EUV技術使得使用單個光罩來創建矽晶圓層成為可能，而ArF可能需要多達4倍的光罩才能創建相同的晶片。

也就是說，與非EUV工藝相比，三星的7 LPP工藝可使光罩總數減少約20%，為客戶能夠節省時間和成本。

三星透露，其從2000年左右就著手研究EUV技術了。

技術指標上，對比10nm FinFET，三星7nm LPP可實現面積能效（同樣複雜度為量綱）提升40%、性能增加20%、功耗降低最多50%。

三星透露，基於EUV的7nm LPP成功量產為其推進3nm奠定了基礎、指明了道路。

產能方面，主要在韓國華城的S3工廠，2020年前會在開一條新產線。

目前已知，高通新一代的5G基帶會採用三星的7nm LPP工藝，看起來驍龍8150/8180等SoC希望也很大。

圖為三星EUV產線