分類標籤：SiC的所有文章

DIGITIMES Research觀察，傳統以塊體矽(Bulk Si)材料為基礎的功率半導體逐漸難提升其技術表現，業界逐漸改以新材料尋求突破，其中氮化鎵(GaN)、碳化矽(SiC)材料技術最受...

導讀：隨著新能源、電動汽車、軌道交通、智能電網等行業的快速發展，提高了電力電子技術對高溫、高壓、高頻、高功率等方面的要求，催生了以碳化矽、氮化鎵為代表的第三代半導體材料的興起。本文以碳化矽功率半...

隨著新能源、電動汽車、軌道交通、智能電網等行業的快速發展，提高了電力電子技術對高溫、高壓、高頻、高功率等方面的要求，催生了以碳化矽、氮化鎵為代表的第三代半導體材料的興起。

自去年開始傳出矽晶圓缺貨漲價熱潮後，由於邏輯IC、離散組件等半導體產品在4～6寸、8寸及12寸產品有局部的替代性，造成這一波矽晶圓供需吃緊的狀況由12寸往6寸蔓延，只要12寸矽晶圓缺貨漲價的情況...