Airiti Library華藝線上圖書館_變壓器耦合式電漿源特性量測與等 ...
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延伸文章資訊
- 1電漿反應器與原理
利用低壓電漿幫助鍍膜就是利用其不需提高反應氣體的溫度而可在低溫下 ... 所謂感應耦合式電漿(Inductively-Coupled-Plasma, ICP),簡單而言係利用RF 所產.
- 2TWI606482B - 用於電漿蝕刻腔室之變壓器耦合電容調諧匹配 ...
這些問題包括有限的TCCT範圍、有限的變壓器耦合電漿(TCP,transformer coupled plasma)電力、高線圈電壓、以及線圈電弧作用。因此,反應器腔室的製程 ...
- 3高密度電漿源設計製作及其應用在半導體製程之發展情況
源經由電極板的電容耦合方式產生電漿,其工作氣壓. 較高,離子化 ... 至更大面積的晶圓發展趨勢而言,電感式電漿源具有 ... 耦合電漿功率:13.56 MHz, 5 kW. 偏壓 ...
- 4TWI599268B - 具有調變式電漿供應之製程腔室- Google Patents
本發明係有關一種腔室,於其中調變式電漿供應之製程可實施者。 ... 因此,該離子電流(配合電漿密度)得不受離子能量(配合該自給偏壓電路)的影響來進行調整。 ... 依據本實施例,一高頻電壓產生器...
- 5國立交通大學機構典藏:變壓耦合式電漿製程設備之蝕刻率批片 ...
標題: 變壓耦合式電漿製程設備之蝕刻率批片控制. Wafer to wafer control of etching rate in Transformer Coupled Plasma Pro...