TWI599268B - 具有調變式電漿供應之製程腔室- Google Patents
文章推薦指數: 80 %
TWI599268B-具有調變式電漿供應之製程腔室 -GooglePatents 具有調變式電漿供應之製程腔室 DownloadPDF Info Publicationnumber TWI599268B TWI599268B TW099110331A TW99110331A TWI599268B TWI599268B TWI599268B TWI599268B TW099110331A TW099110331A TW099110331A TW99110331A TW99110331A TW99110331A
延伸文章資訊
- 1國立交通大學機構典藏:變壓耦合式電漿製程設備之先進設備控制
關鍵字: 電漿;變壓耦合式電漿源;區域平均模式模型;順滑模態;反應曲面法;plasma;TCP;global model;sliding mode;response surface method...
- 2變壓耦合式電漿設備之蝕刻速率最佳化 - 成功大學電子學位論文 ...
論文名稱(中文), 變壓耦合式電漿設備之蝕刻速率最佳化. 論文名稱(英文), Optimization of etching rate in Transformer Coupled Plasma...
- 3國立交通大學機構典藏:變壓耦合式電漿製程設備之蝕刻率批片 ...
標題: 變壓耦合式電漿製程設備之蝕刻率批片控制. Wafer to wafer control of etching rate in Transformer Coupled Plasma Pro...
- 4TWI599268B - 具有調變式電漿供應之製程腔室- Google Patents
本發明係有關一種腔室,於其中調變式電漿供應之製程可實施者。 ... 因此,該離子電流(配合電漿密度)得不受離子能量(配合該自給偏壓電路)的影響來進行調整。 ... 依據本實施例,一高頻電壓產生器...
- 5TWI606482B - 用於電漿蝕刻腔室之變壓器耦合電容調諧匹配 ...
這些問題包括有限的TCCT範圍、有限的變壓器耦合電漿(TCP,transformer coupled plasma)電力、高線圈電壓、以及線圈電弧作用。因此,反應器腔室的製程 ...