Q503 | 南臺科技大學光電工程系

FRAM是以RAM為基礎、運用鐵電效應、並使用浮動閘技術作為一個儲存裝置。比起其他非揮發性記憶體，FRAM是一個完全截然不同的裝置。鐵電 ...

現今新開發的非揮發性記憶體，如鐵電記憶體(Ferroelectric Random Access ... 謂非揮發性記憶體(Non-Volatile Memory)，資料存取不受電源影響，缺點是資料.

鐵電薄膜的高介電係數，可應用於動態隨機記憶體，而高自發極化值則可應用於非 ... 最快速的單一半導體產品，但若與鐵電記憶體比較則可發現幾個明顯的缺點：1.

在眾多鐵電材料中，應用於非揮發性鐵電記憶體元件的鈣鈦. 礦(ABO3)與鉍層鐵 ... 但相反的，DRAM 也有存取速度較慢，耗電量較大的缺點。 與大部分的隨機存取 ...

鐵電記憶體(Ferroelectric RAM；FeRAM)在半導體產業存在的時間可能比目前大部份從業人員的工作期間都要長。以前管理記憶體銷售時，聽到有 ...