鐵電材料
po文清單文章推薦指數: 80 %
關於「鐵電材料」標籤,搜尋引擎有相關的訊息討論:
鐵電性- 維基百科,自由的百科全書 - Wikipedia鐵電性(英語:Ferroelectricity)是某些材料存在自發的電極化,並在外加電場的作用下可以被反轉的特性。
該術語被用於類比鐵磁性,其中,材料 ... | [PDF] 在鐵電材料中 - 逢甲大學-電子工程學系我們利用Keysight量測C-V圖以及. Ig-Vg圖,根據圖型發現微波退火時間在200秒時有最大電容值出現,代表有較少的氧化層缺陷。
而當閘極電壓加大時,鐵電材料的 ...二维材料/铁电异质结构的研究进展 - 物理学报2020年1月5日 · 二维/铁电复合材料很好地兼顾了二者的优点, 不仅包含了磁电耦合效应、铁电场效应、晶格应变效应、隧穿效应、光电效应、光致发光效应等丰富的 ...铁电材料_百度百科铁电材料是指具有铁电效应的一类材料,它是热释电材料的一个分支。
铁电材料及其应用研究已成为凝聚态物理、固体电子学领域最热门的研究课题之一。
晶体,其 ... tw[PDF] 極化機構、缺陷結構及漏電流機構的影響初步掌握BiFeO3 基材料的鐵電性和磁性的各種影響因素。
在第三年方面, ... 的改變。
中文關鍵詞: 鐵酸鉍;電滯曲線;漏電流機制;共參雜;介電行為;鐵電. 性質 ... 此電滯曲. 線圖形非一般漏電流所造成的訊號24,根據G.L. Yuan 等人文獻25,.圖片全部顯示[PDF] 单相多铁性材料—— 极化和磁性序参量的耦合与调控 - CORE摘要单相多铁性材料是指同时表现出铁电性和磁性的单相化合物, 最近的研究还拓展到. 具有铁性磁涡旋的 ... 电性与磁性之间存在磁电耦合效应, 从而可能实现铁电性和磁性的相互调控. 因此, 多铁 ... 48 Yuan G L, Or S W, Chan H L W, et al. Reduced ... tw | tw[PDF] 半導體製程 高介電材料 - 台大化學系⇨鐵電材料(ferroelectric):. 材料在無外加電場㆘具有自發極化者。
⇨鐵電性質( ferroelectricity):. | [PDF] 崑山科技大學... 曲線....................11. 圖2-1-5 粗晶粒陶瓷體中的鐵電區組態S1及S2為兩個帶狀鐵 電 ... 熱敏電阻器(Thermistor)及作為電能與機械能轉換的壓電材料,如點. 火器與振盪器的元件. ... [67] H. C. Lu, L. E. Burkhart, G. L. Schrader, J. Am. Ceram. Soc., 74.[PDF] 第一章緒論1.1 前言早在1949 年, 由Aurivillius 首先發現(Bi2O2) 2 ...此外,鐵電材料亦具備壓電性、焦電性、. 光電性[9]如圖1-2 所示,可運用於變壓器、致動器、感測器. 及光導管等元件。
1.3 研究方向. 於是本實驗以SrBi2Ta2O9 ( SBT) ... |
延伸文章資訊
- 1國立交通大學機構典藏
現今新開發的非揮發性記憶體,如鐵電記憶體(Ferroelectric Random Access ... 謂非揮發性記憶體(Non-Volatile Memory),資料存取不受電源影響,缺點是資料.
- 2國立中山大學電機工程學系博士論文 - eThesys 國立中山大學 ...
在眾多鐵電材料中,應用於非揮發性鐵電記憶體元件的鈣鈦. 礦(ABO3)與鉍層鐵 ... 但相反的,DRAM 也有存取速度較慢,耗電量較大的缺點。 與大部分的隨機存取 ...
- 3FRAM記憶體技術原理 - CTIMES
美國Ramtron公司記憶體(FRAM)的核心技術是鐵電晶體材料。這一特殊 ... 確切來說,這些缺點包括寫入太慢,有限寫入次數,寫入時需要特大功耗等等. 我們可以 ...
- 4鐵電記憶體的新篇章 - DigiTimes
鐵電記憶體(Ferroelectric RAM;FeRAM)在半導體產業存在的時間可能比目前大部份從業人員的工作期間都要長。以前管理記憶體銷售時,聽到有 ...
- 5次世代電阻式記憶體發展 - 科技部
次世代非揮發性記憶體大致可區分為鐵電 ... 各擅勝場,互有優點與缺點。其中,次世代非揮 ... 表一電阻式記憶體(RRAM)與其他記憶體元件之基本特性比較圖.