非揮發性FRAM記憶技術原理及其應用初探:FRAM ... - CTIMES
文章推薦指數： 80 %
FRAM是以RAM為基礎、運用鐵電效應、並使用浮動閘技術作為一個儲存裝置。
比起其他非揮發性記憶體，FRAM是一個完全截然不同的裝置。
鐵電 ...
│智動化SmartAuto│科技論壇│新品中心│影音頻道│出版中心│FB服務│
v3.05.2048.165.22.59.181
帳號：
密碼：
註冊
忘記密碼
延伸文章資訊
- 1剖析5種傳統及3種新型記憶體- 電子技術設計 - EDN Taiwan
當今，揮發性記憶體最重要的兩類是靜態隨機存取記憶體(SRAM)和動態 ... 鐵電隨機存取記憶體(FRAM)、相變化隨機存取記憶體(PRAM)、磁阻式隨存取 ... 採用堆疊結構，目前一般是兩層...
- 2國立中山大學電機工程學系博士論文 - eThesys 國立中山大學 ...
在眾多鐵電材料中，應用於非揮發性鐵電記憶體元件的鈣鈦. 礦(ABO3)與鉍層鐵 ... 但相反的，DRAM 也有存取速度較慢，耗電量較大的缺點。 與大部分的隨機存取 ...
- 3次世代電阻式記憶體發展 - 科技部
次世代非揮發性記憶體大致可區分為鐵電 ... 各擅勝場，互有優點與缺點。其中，次世代非揮 ... 表一電阻式記憶體(RRAM)與其他記憶體元件之基本特性比較圖.
- 4非揮發性FRAM記憶技術原理及其應用初探:FRAM ... - CTIMES
FRAM是以RAM為基礎、運用鐵電效應、並使用浮動閘技術作為一個儲存裝置。比起其他非揮發性記憶體，FRAM是一個完全截然不同的裝置。鐵電 ...
- 5FRAM記憶體技術原理 - CTIMES
美國Ramtron公司記憶體(FRAM)的核心技術是鐵電晶體材料。這一特殊 ... 確切來說，這些缺點包括寫入太慢，有限寫入次數，寫入時需要特大功耗等等． 我們可以 ...
