13.56 MHz RF Capacitively Coupled Plasma (CCP) 電容耦合 ...
文章推薦指數: 80 %
Capacitively Coupled Plasma (CCP) 電容耦合電漿實驗We Provide RF Generator ... AboutPressCopyrightContactusCreatorAdvertiseDevelopersTermsPrivacyPolicy&SafetyHowYouTubeworksTestnewfeatures©2021GoogleLLC
延伸文章資訊
- 1加強型電容耦合式高密度電漿在非晶矽薄膜電晶體蝕刻研究
關鍵字: Enhanced Capacitive-Coupled High-Density Plasma;加強型電容耦合式高密度電漿;Dry Etch;A-Si Thin Film;乾蝕刻;非晶...
- 2電容式耦合射頻矽烷/氫氣電漿之數值模擬研究+-電壓波型影響
電容式耦合電漿(Capacitively Coupled Plasma, CCP)被廣泛應用於蝕刻與沉積製程中。本研究旨為探討輸入特製電壓波型(Tailored Voltage Waveform...
- 3Chapter 7 電漿的基礎原理
說明電漿如何增強蝕刻及CVD 製程. • 列出兩種高密度電漿源 ... 電漿是具有等量正電荷和負電荷的離子氣體 ... 平行板電極(電容耦合型). 電漿系統. 電漿. 射頻功率.
- 4感應耦合電漿- 維基百科,自由的百科全書
感應耦合電漿(英語:Inductively Coupled Plasma,縮寫:ICP)是一種通過隨時間變化的磁場電磁感應產生電流作為能量來源的電漿體源。
- 5電漿源原理與應用之介紹
由於電感偶合模式其功率吸收較電容偶合模. 式來得佳,此時電漿密度將顯著地增加。由於ICP 之. 電漿密度(n ~ 1010- 1012 cm-3)較傳統電容式電漿(n ~. 109 ...