离子束溅射和离子束沉积系统 - Denton Vacuum
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离子束溅射(IBS),也称为离子束沉积(IBD),是一种薄膜沉积工艺,使用离子源,将靶材(金属或电介质)沉积或溅射到基片上,以形成金属或电介质膜。
因为离子束是等能的( ...
离子束溅射-IBS解决方案离子束溅射(IBS),也称为离子束沉积(IBD),是一种薄膜沉积工艺,使用离子源,将靶材(金属或电介质)沉积或溅射到基片上,以形成金属或电介质膜。
因为离子束是等能的(离子具有相等的能量),且高度准直,所以与其他PVD(物理气相沉积)技术相比,其能够精确地控制厚度,并沉积非常致密的高质量薄膜。
IBD系统的典型配置是网格离子源、靶材和基片。
离子束聚焦在靶材上,溅射的目标材料沉积在附近的基片上。
通常的做法是,利用指向基片的第二网格离子源,提供离子辅助沉积(IAD)。
在沉积金属氧化物或氮化物膜时,IAD非常有助于改善膜的物理密度、水分稳定性、光学和机械性能。
此外,在沉积期间加热基片也可能改善整体性能。
离子辅助沉积对化学计量和膜厚的出色控制IBD的一个关键优势是可以独立控制多个参数,包括靶溅射速率和IAD参数—离子能量、离子电流密度和入射角,以控制薄膜化学计量和微观结构。
这种控制水平是离子束和其他溅射工艺的主要区别,使得IBD成为精密光学或半导体生产等最具挑战性的应用的理想选择。
丹顿真空设备有限公司已经开发出离子束溅射解决方案,为优异的膜厚和均匀性控制提供稳定的沉积速率。
有关详细信息和规格,请查看下面的IBD解决方案。
IonBeamEtchingIonbeametch(IBE)isanIBSprocessthatcanbeusedtopre-cleanasubstrate,ortocreateaspecificpatternonthesubstrate’ssurfaceusingmasking.Similartootherpre-cleanmethods,IBEcompletelyremovesparticlesfromthesubstratebeforedeposition;itcanalsobeusedtoremovealayerfromthesubstratesurfaceitselftoensureexcellentcoatinguniformityandadhesion.IBEisanexcellentoptionformaterialsandapplicationsthatrequireprecisespecsformaterialremoval.Itofferstightprocesscontrolandrepeatabilityforetchingpatternsontoasubstrate,particularlyforetchingstacksofmultiplematerialsorlayers.Asapre-cleaningmethod,IBEfeatureshigh-energyionsforahigh-impactplasmatreatment.ByleveragingDentonVacuum’sportfolioofInfinityionbeamproducts,youcanachieveexcellentuniformityandrepeatabilityinasystemthatisfullyequippedforhigh-volumeproduction.IonBeamSputteringSystems
InfinityBiasedTargetModuleTheInfinityBiasedTargetSputterModuleisagreatsolutionforadvancedprocesscontrolandclosed-loopcontroloffilmpropertiesforIRoptics,focalplanearraysandlaserbarcoatings.查看详情
InfinityZ-FlexTheInfinityZ-FlexSystemenablesionbeamsputteringandetchingforsemiconductor,MEMS,datastorageandHAMRapplications.查看详情
InfinityPSIBEWhenyouneedaflexible,versatileionbeametchsystemforhigh-performanceetching,criticalthinfilmprofilemillingandglanceanglemilling,theInfinityPlanetarySystemIBEistherightsolution.查看详情
InfinityLoadLockEtchIfyouneedhigh-throughput,high-performanceetchingformarketslikesemiconductor,datastorage,MEMSandwaferprocessing,theInfinityLLEtchcanmeetthosedemands.查看详情
InfinityLANSTheInfinityLaboratoryAlloy&Nanolayersystemoffersunparalleledcontroloflayerthickness,interface,alloycompositionandmaterialsflexibilityforemergingapplications.查看详情
InfinityRMWhenyouneedahigh-qualityfilmforR&Dinemergingapplications,fromopticalinterferencecoatingstox-raymirroroptics,theInfinityRMSystemisthesolutionforyou.查看详情
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资料汇总
延伸文章資訊
- 1離子束製程技術簡介(上) - 台灣儀器科技研究中心
能離子束輔助濺鍍與蒸鍍、化學氣相沉積、反應式蝕刻與高分子表面改質等製程技術,文中 ... 子束濺鍍(ion beam sputtering, IBS)、(e) 直接離子.
- 2何謂離子束濺鍍法?
A: 離子束濺鍍法係在高真空中利用獨立之離子源發射離子束濺射靶材,將靶材上的原子一顆一顆敲出飛越真空並有力的沈積在基板上,成為薄膜的一種鍍膜方法。
- 3技術與能力 - 友威科技股份有限公司
濺鍍(sputtering)是利用電漿(plasma)對靶材料進行離子轟擊(ion ... 一、 物理性蝕刻:(1) 濺擊蝕刻(Sputter Etching) (2) 離子束蝕刻(Ion Be...
- 4薄膜製程
薄膜製鍍. ▫ CVD. ▫ PVD. ▫ 熱蒸鍍. ▫ 電子槍蒸鍍. ▫ 電子槍蒸鍍. ▫ 濺鍍. ▫ 離子束濺鍍. 2. 薄膜量測. ▫ 光譜儀. ▫ 橢偏儀.
- 5雙離子束濺鍍系統之原理及應用
由於離子束濺鍍系統製備之薄膜具有膜會縝密、鍍膜時基板溫度較低、膜內孔隙較少、薄膜堆積密度高等優點,故常被使用於磁性、光學等各種薄膜的製備。