Digitimes：大陸存儲器的戰略布局

長江存儲成立後，大陸在這個階段於半導體的宏觀布局重新成形。

但是為什麼挑由存儲器入手？這是個關鍵選擇。

尤其是在台灣的 DRAM 產業甫因規模經濟不足導致研發無法完全自主而緩緩淡出之際，這樣的選擇需要一番辯證。

進口替代當然是原因之一，但不是全部。

回歸基本面來看。

半導體之所以為高科技是因為有摩爾定律，容許其不斷的製程微縮，而其經濟效益也高度依賴摩爾定律。

DRAM 在很長的一段時間裡是半導體業的驅策技術(driving technology)，也就是說DRAM的製程領導其它的半導體製程前進。

半導體的先行者AT&T、Intel都曾投入這產業，日本90年代的半導體霸業、台灣、韓國的半導體產業崛起，都與DRAM息息相關。

如果不健忘的話，台灣的DUV、CMP、12寸廠等先進技術都是由DRAM廠率先引入。

在2000年初後，邏輯與NAND的製程進展相繼超越DRAM，DRAM失去了其驅策技術的地位。

邏輯製程持續往平面微縮的方向前進，能見度到3奈米，還有3、4個世代可行；NAND往3D堆疊走，這個方向能走多遠尚未可知，但是短時間內碰不到物理極限，是比較技術面可克服的問題。

邏輯的平面製程微縮與NAND的3D堆疊同時是未來半導體業的驅策技術，大陸作為後發者選擇最近才興起、後面發展道路長的驅策技術投入，是比較合理的做法。

至於DRAM，已於20奈米久滯，雖然仍有機會繼續緩慢推進到10奈米，但其製程技術主要是針對DRAM，很難嘉惠於其它產品，戰略性比較不足。

所以大陸選擇3D NAND重新出發，3D的製程技術還有機會應用到其它產品，譬如3D MRAM。

至於研發的規模經濟，由其所投資相應的生產規模來看，如果有盈餘的話，是有機會支撐持續的自主研發的。

剩下來的問題是NAND的技術靈不靈？大陸NAND的技術授權引入研發已有好幾年了，以前的表現頗有波折，就連二維平面NAND的生產也稱不上順利。

現在要當成主要的產品並結合3D製程，恐是個有點高風險的選擇！

來源：Digitimes