中國半導體業 上演本土配套和進口替代黃金交叉

半導體行業已成為中國國家戰略優先發展的產業，加上集成電路是「中國製造2025」未來產業智能化的核心，因此反映中國半導體業的核心地位日益顯著。

而因2016年正處於行業上升周期與國家政策扶持周期疊加共振之中，故中國半導體業整體景氣仍持續向上，特別是在國家戰略和市場機制的結合下，中國半導體業將可望達到重點突破和整體水準提升的目標，預計中國國家集成電路產業投資基金（大基金）投資布局將從面覆蓋朝向點突破來作轉變，同時工作重心將從注重投資轉為上下游供應鏈同步並重的方向來走。

另外2016年中國半導體產業發展將以政府大力扶植自主創新、超越摩爾定律、存儲器為發展重點等為主軸，就整體市場變動來看，本土配套和進口替代的黃金交叉正在上演。

首先，在政府大力扶植自主創新方面，在中國集成電路已有一定的發展基礎後，提倡技術或規格的自主創新將是行業發展必經之路，畢竟從過去聯想與華為兩家公司的經營成效可知，聯想選擇模仿和購併的發展模式，華為選擇自主創新的策略，後來華為發展遠快於聯想，顯示中國半導體行業將從跟隨戰略轉向創新跨越，在全球產業創新鏈中形成自己的特色。

其次在超越摩爾定律方面，主要是基於物聯網的發展，MEMS與集成電路的融合將是趨勢，甚至未來半導體產業驅動模式將從過去技術驅動轉變為技術集成、產業鏈生態體系整合驅動的模式。

中國半導體行業在2016年將以存儲器為發展重點，最主要是存儲器與微處理器是發展半導體業不能或缺的領域，況且存儲器市場的仍具成長潛力，特別是中國切入存儲器市場更有其優勢，包括進口替代空間大、產業轉移、政策大力支持等，而預計2016年武漢新芯、同方國芯、兆基科技（合肥Elpida）將攜手挑起中國存儲器產業的發展大梁，填補最為空白的領域。

其中，同方國芯於2015年11月宣布定向增資800億元人民幣，主要布局Nand Flash相關的技術與專利、製造工藝等，包括存儲器晶片工廠的建立、收購力成與南茂25％股權、產業鏈上下游的收購等。

爾後2016年3月底武漢新芯舉行東湖存儲器項目動工儀式，該專案由國家集成電路產業投資基金（大基金）、湖北省集成電路產業投資基金、國開發展基金、湖北省科技投資集團共同出資建設，專案總投資將達240億美元，未來投入將以3D NAND Flash產品為主，預計產能可望達30萬片，目標最快2018年年初開始生產。

至於合肥政府攜手爾必達460億人民幣建10萬片/月低功耗存儲器晶圓廠，2018年下半年量產。

事實上，中國企業在布局存儲器產業優先選擇3D NAND Flash而不是DRAM，最主要是由於NAND Flash未來市場成長性優於DRAM，特別是在傳統硬碟轉向固態硬碟的趨勢顯著、數據中心建設等環境帶動下，未來NAND Flash的用量將快速提升，加上NAND Flash適逢技術由平面NAND Flash技術架構轉至3D NAND Flash之時，給予中國業者切入發展的契機。

整體而言，雖然受到中國經濟成長趨緩的影響，使得2015年、2016年中國集成電路市場規模呈現增長減緩的格局，不過整體增幅分別為6.07%、5.49%仍是高於全球的水準。

最主要是受惠於全球半導體產業轉移至中國態勢顯著，加上中國國家政策扶持態度堅定，使得生產與融資環境趨於完善，且結構深度也加速調整，更何況中國集成電路產業的進口替代空間超過2,000億美元/年，此為其他電子產品難以複製，意謂中國半導體業正適逢本土配套和進口替代黃金機遇期。

來源：中時電子報