中國DRAM存儲晶片全面發力，成功道路上阻力並不少！

最近幾年，總投資300億人民幣的紫光南京半導體基地和300億人民幣的子港國際城項目開始運作，這是紫光集團繼長江存儲項目之後的另一個大「動作」，主要產品為3D-NAND Flash、DRAM存儲晶片，占地面積為1500畝，其中項目一期投資約100億美元，月產晶片10萬片。

正是由於這樣的原因，原有的市場玩家就有點擔心了，昨天全球第三大DRAM公司台灣南亞科技就表示大陸投資DRAM工廠有可能破壞全球市場。

目前DRAM領域主要有三星、SK Hynix及美光三大廠商，而第四大廠商是台灣的南亞科技，此前還有華亞科，只是華亞科已經被美光全資收購了，因此南亞排到了第四，不過南亞Q1季度營收只有3.94億美元，占DRAM市場份額只有2.8%，跟前面三家完全不能比，一旦大陸存儲晶片滿負荷生產，勢必導致低階存儲晶片價格暴跌，而首先遭殃的就是南亞這種規模較小的公司，所以他們擔心大陸的投資很正常。

同樣，伴隨像南亞科技這樣同行的抹黑，眼紅中國科技發展的外國媒體則採用看不起的招術，直接質疑我國生產的技術水平和能力，因為從他們早前的分析看來，就算是武漢新芯項目也沒有足夠的技術來支持存儲晶片製造，當中還需要有很多的障礙需要跨越，首當其衝的就是有經驗的存儲晶片工程師的缺乏。

為了應對行業人才的短缺，中國採取了和三星取得日本技術一樣的模式，聘用國外在職的晶片工程當顧問，由他們在休息時間給出問題指導，並給於巨額的獎勵資金，從而使得自己技術能夠在短時間有質的飛躍。

除此之外，中國利用與台灣文化與語言相通的優勢，花重金從台灣請來晶片產業的成熟工人，並為他們提供住房到孩子教育一切保障，順利的解決關鍵人才的缺失。

對半導體有深入研究，並寫過基本關於日本半導體發展的書的作者Takashi Yunogami最近他改變了看法，他告訴記者，從材料和設備供應商與中國的合作中他能看出，或許會中國超越韓日只是時間問題。

日本晶片上游產業對於中國DRAM製造的影響

近日，日本晶圓大廠Sumco決定砍掉中國大陸存儲晶片廠商長江存儲（原武漢新芯）的晶圓訂單，優先供貨給台積電、Intel、鎂光等大廠。

在日本Sumco優先供貨美國、日本、台灣廠商的情況下，中國大陸長江存儲有可能面臨晶圓供應不足的局面。

日本在晶元材料的上游市場掌握絕對主導地位，對於大陸崛起的擔憂，加之自身技術壟斷優勢不斷被瓦解，日本晶圓廠商對於中國企業往往是另眼相看，害怕中國一支獨大從而降低其議價能力、甚至擔心我國對於金圓材料進軍，所以日本的小動作不斷明顯。

正是由於這樣的因素，韓國和台灣的DRAM晶片產商也不斷綁架日本晶圓企業，希望減少、甚至停止供應中國晶圓材料。

既然，我國可以研發高端DRAM晶片，為什麼不能進軍技術更低的晶圓材料生產？其實這和市場消費結構和技術都有關，日本之所以取得晶圓的完全壟斷只要是長期兼并、擴大取得，市場已經認可這一價格和技術標準，而我國雖然能夠生產出同等技術的晶圓，但是成本太高和消費市場又不充分，因此只有寄人籬下從日本採購晶圓材料。

總結：我國發力DRAM存儲晶片製造很有必要，但是眼下的市場和技術格局導致我國發展相關產業需要克服各種阻礙，甚至要面對西方世界技術聯合封鎖，所以在逐漸積累技術的過程中，加大融入世界晶片市場的努力、取得相應國際分工，不能急功近利、更不能內部惡性鬥爭，一步一個腳步取得市場地位，那麼中國存儲晶片乃至高端處理晶片突圍便能成功！