大陸存儲晶片產業「炮台」已搭起

2015年以來，伴隨著大陸在集成電路產業發展的高度關注與持續投入，大陸IC產業鏈結構正日趨完善，各產業鏈環節調控效果初顯，尤其在晶圓製造端，浩浩蕩蕩的國際各路大軍紛紛登陸中國，國內廠商積極重組擴張，在此期間，中國存儲晶片產業也經歷了從無到有的重要歷程。

中國存儲晶片幾乎完全依賴進口。

量產方面，大陸已有Samsung、Intel、SK Hynix 三大巨頭設立存儲器晶片製造廠，其中Samsung 西安廠和Intel 大連廠主要生產快閃記憶體NAND Flash，SK Hynix 無錫廠主要生產內存DRAM。

然而由於這些外資主導的廠商在工藝技術上的嚴格保密，大陸本土的工程師很難走到核心技術崗位，這對大陸存儲晶片製造業的幫助非常有限。

此外，紫光收購美光、入股西數曲線收購SanDisk等海外併購都遭到了美國外國投資委員會（CFIUS）的阻撓，最終告吹。

這也給大陸方面提了個醒：中國存儲晶片產業的發展單靠併購是走不通的，必須將自主創新和技術引進結合起來。

目前，全球存儲晶片技術主要由Samsung、SK Hynix、美光、東芝、Intel等國際大廠壟斷。

快閃記憶體方面，隨著2D-NAND製程工藝來到摩爾定律的極限，各巨頭廠商紛紛開始著手開發3D-NAND技術，三星32層與48層3D V-NAND產品與美光英特爾32層 3D NAND產品於2015年底已正式投放市場，東芝、SanDisk、SK Hynix前期在邁入3D-NAND主流廠商的道路上稍顯遲鈍，不過在今年7月份，東芝和SanDisk同時宣布已研發出64層的3D-NAND Flash製程技術，並計劃採用該技術的256Gb(32GB)產品在2017年上半年進行量產，隨後三星也立即宣布於2016年底量產4GV-NAND(64層)產品。

可見，在3D-NAND技術領域，各廠商都正處於起跑階段，距離還未完全被拉開，這對於大陸存儲晶片產業的發展是有利因素。

大陸在建的幾座12英寸晶圓廠中，合肥兆基科技、武漢新芯、晉江晉華都將產品方向關注到存儲晶片上來。

其中兆基科技和晉華主導DRAM產品的研發和生產，兆基科技創始人坂本幸雄是日本DRAM大廠爾必達的前社長，2012年爾必達被美光收購，這不禁會引來業界猜測：未來兆基科技的DRAM技術是否有牽涉美光的IP？但歸根到底，兆基科技整體仍由外資主導，大陸方面能否在未來有效完成技術滲透，現在看來並不明朗。

相比而言，晉華項目則更趨人性化，晉華藉助聯電技術導入利基型DRAM，由晉華提供設備、資金，支付聯電技術開發費用，最終開發成果雙方共同擁有。

武漢新芯則與飛索半導體合作主攻Flash晶片的開發，8月初紫光和武漢新芯宣布聯手成立長江存儲科技有限公司，中國存儲晶片產業國家隊規模再次提升。

紫光此舉不僅整合了多方資源形成規模效應，也極大縮短了自主建立Fab產線的時間，並留出更多的資金用於入股和收購DRAM生產技術廠商，期許同時擁有Flash和DRAM的生產能力，力求儘快達到中國自主生產存儲器的國家目標。

對於同時擁有先進DRAM和高階3D-NAND Flash技術（與Intel共同開發）的美光科技，紫光可謂覬覦已久，但鑒於中美兩國複雜的國際關係，美國政府始終不願放手通過紫光收購美光一案。

如今長江存儲科技的成立，將再次重啟與美光洽談合作事宜，計劃引進華亞科模式（由大陸提供資金和廠房，美光提供技術），如何成功激活此模式，相信對大陸方面將是一次關鍵的智慧考驗。

接下來高端技術人才的引進、本土人才培養及相關人才體系的完善和發展，必將排在各項工作的首位。

中國在存儲晶片產業領域多年空白的局面已造成了相關人才的嚴重缺失，高科技人才在IC產業發展過程中的作用是不可替代的，所以如何引進高端人才、留住人才、培養本土專業人才定是大陸政府密切關注的課題。

根據大陸各新建廠建設進度，多數產線要到2018年才開始投片，未來2~3年內，大陸對其他廠商並不能直接構成威脅。

然而，可以預見，中國在布局存儲晶片產業的步伐將會越來越快，大陸存儲晶片產業的「炮台」已經搭起，「彈藥」及所有準備工作正緊張有序開展，一旦中國擁有先進Flash和DRAM產品生產能力並實現自給自足時，全球存儲晶片的供需體系將被重新洗牌，相信對世界幾大寡頭來說勢必會是一場血雨腥風。