TechInsights發布英特爾3D XPoint初步分析

現在英特爾Optane Memory M.2固態硬碟在公開市場上隨時可用，任何擁有電子顯微鏡和使用技術的人都可以開始探索3D XPoint內存的秘密，在2015年8月英特爾和美光宣布推出新技術後，一直對3D XPoint的技術細節言之甚少。

TechInsights的逆向工程專家一直在進行研究，最近發表了他們的初步研究結果。

利用3D XPoint的第一個高解析度模具照片，TechInsights提供了模具尺寸和內存密度的精確測量。

128Gb 3D XPoint晶片為206.5 mm2，比現代NAND快閃記憶體或DRAM的典型效果大得多，但與英特爾的128Gb 20nm平面MLC NAND相當。

英特爾和美光公司的總體晶片尺寸是典型的，因為它們歷史上沒有適應移動市場的NAND快閃記憶體，而像三星和東芝這樣的競爭對手已經努力確保其快閃記憶體將適合智慧型手機等設備。

（這一趨勢正在隨著今年推出的64層3D NAND而變化，英特爾和美光公司正在生產更大的512Gb TLC部件和更小的256Gb TLC部件）。

英特爾Optane SSD DC P4800X正在使用與英特爾SSD DC P3700類似密度的內存，作為英特爾SSD產品線的旗艦產品。

當比較類似的晶片時，晶片尺寸是製造成本的強大預測因素，但是3D XPoint存儲器與NAND快閃記憶體（舊的平面NAND或更新的3D NAND）完全不同。

不過，值得注意的是，P4800X的價格比起初運載的P3700高出約25％。

這表明，3D XPoint的製造流程要比平面NAND更昂貴，或者3D XPoint的產量還不夠成熟，但是由於缺乏與Optane SSD的高性能競爭，價格因素也可以解釋。

TechInsights計算出，3D XPoint晶片區域的91.4％由存儲陣列本身占有。

這比NAND快閃記憶體高得多，英特爾/美光3D NAND的「CMOS陣列」設計的記錄為84.9％，將大部分外設電路放置在存儲器陣列的下方，而不是旁邊。

三星目前的48層3D V-NAND管理陣列效率只有70％，東芝和SK海力士的3D NAND已經可比。

這意味著，一旦英特爾在未來幾代3D XPoint內存中增加層數，就可以比3D NAND內存目前更能實現理想的容量擴展。

TechInsights的分析證實，3D XPoint存儲器是使用20nm工藝製造的，在存儲器陣列的位線和字線方向上具有相同的間距。

DRAM市場才剛剛超越了這一里程碑，因此將3D XPoint的密度與當前的DRAM進行比較，突顯了3D XPoint享有的基本功能優勢：與典型的20nm DRAM相比，密度約為4.5倍，比市場最先進的1Xnm DDR4高出約3.3倍。

而之後的3D XPoint可能會擴大這一差距。

單個3D XPoint存儲單元的材料和結構尚未完全分析，但它似乎是具有摻雜硫化物選擇開關的相變存儲元件。

3D XPoint存儲器陣列構造在矽晶片上方的第四和第五金屬互連層之間。