存儲市場如此缺貨,看這家大佬級廠商如何謀劃
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導讀:目前的存儲市場缺貨情況嚴重,原因在哪裡?主要玩兒家是如何謀劃和應對的,以下為您解答…
存儲器市場不斷變化
在過去一個月,美光科技(Micron)財務長Ernest Maddock 在5個技術會議上發表了演講。
他討論了當前的存儲器市場狀況、未來增長機會,以及什麼使投資者和分析師對Micron股票持謹慎態度。
許多分析師在參加其中一次會議後,修改了Micron的盈利預測。
存儲市場是一個商品化市場,其中一家公司的存儲晶片可以輕鬆替換掉另一家公司的晶片。
由於沒有技術優勢,供求關係極大地影響著價格,使該市場呈現高度周期性變化。
周期變短
隨著我們向萬物互聯的世代邁進,更多的設備,如汽車和可穿戴設備正在使用跟多的存儲器。
每個設備的存儲容量也隨著升級而增加。
這些因素正在縮短該市場周期,以便更有利可圖。
在技術會議上,Maddock詳細討論了未來的存儲市場周期以及它們如何影響Micron的收入。
他解釋說,高周期性將存儲市場從30名玩家整合到了3位:三星、SK Hynix和Micron。
這三家控制著供應量,以防止可能傷害利潤的供過於求的情況出現。
市場風險
如果中國成功製造自己的存儲晶片,分析師們擔心這種供應紀律可能會面臨風險。
Maddock表示,中國缺乏智慧財產權,因為中國缺乏盈餘資金的優勢,對此表示擔憂。
雖然存儲器製造商可以控制供應,但它們無法控制需求。
因此,美光和其他公司將繼續面臨技術和經濟衰退,這可能會大大降低存儲器需求。
然而,由於存儲終端市場將PC(個人計算機)擴展到移動、汽車和嵌入式設備之外,終端市場多樣化,因此衰退的嚴重性正在緩解。
這使得存儲器呈現上升趨勢,是有利可圖的,退一步說,即使是呈下降趨勢,也在可以承受的範圍。
目前,存儲市場呈現周期性上升的趨勢,因為供應短缺導致內存價格自2016年11月以來上漲。
美光公司正在尋求技術領先地位,與海力士和三星一道,投資高級節點。
美光與英特爾合作開發出了革命性的非易失性存儲器技術3D XPoint 。
在本系列中,我們將介紹可能影響存儲器市場周期的多種因素。
美光獲益頗豐
存儲市場增長預測
隨著更多設備使用內存晶片,存儲市場呈現強勁增長態勢。
美光科技財務長Ernest Maddock談到了Robert W Baird 2017全球消費者技術與服務大會的存儲市場趨勢。
目前,整體半導體市場價值約為3850億美元,其中存儲市場價值為1110億美元。
許多研究公司預計存儲市場的增長速度將快於整個半導體行業。
2017年,半導體市場預計同比增長12.0%,而存儲市場預計同比增長40.0%。
誰會受益於這種增長?
存儲市場整合
存儲市場有兩個主要部分:DRAM(動態隨機存取存儲器)和NAND。
多年來,周期性變化已經使存儲市場從多達32家DRAM公司整合到3家:三星,SK海力士和美光。
在NAND方面,有4個智慧財產權持有者:Micron-Intel合資企業,東芝(Toshiba)- 西部數據(WDC)合資公司,三星和SK海力士。
在DRAM方面,因為三星的技術領先於SK海力士和美光。
三星所占市場份額約45.0%,其次是SK海力士和美光。
上述3個玩家都在DRAM和NAND市場中運營,而Intel,WDC和Toshiba只在NAND市場耕耘。
這使得三星,SK Hynix和Micron具有競爭優勢,因為它們可以在具有DRAM和NAND功能的eMCP(嵌入式多晶片封裝)和汽車存儲等混合存儲器市場中運營。
存儲市場總利潤增加
存儲市場的整合導致利潤分配到較少的玩家。
此前,存儲器銷售主要由PC推動。
移動革命擴大了存儲市場的客戶群,包括智慧型手機廠商。
現在,AI(人工智慧)革命不僅將存儲客戶群擴展到汽車和可穿戴設備,還增加了每台設備的存儲容量。
AI還引領了專業的存儲晶片,如圖形內存和非常高端的內存。
所有這些都會縮短存儲市場周期,並在這些周期中增加市場參與者的總體利潤機會。
2015 - 2016年下降周期的行業盈利總體比2012 - 2013年下降周期高出600個基點。
改善的盈利機會有助於美光在2015–2016年下降周期的大部分時間內保持盈利,並在2017年上漲周期中表現出優於平均水平。
美光正試圖通過技術轉型進一步提高利潤。
美光的成本競爭力策略
技術轉型提升成本競爭力
在本系列的前一部分,我們看到,由於存儲器的整合和終端市場的多樣化,存儲行業的總利潤多年來一直在增加。
美光科技通過轉型為先進技術,以更具成本競爭力。
在過去兩年(2015~2017年)中,美光公司將其DRAM生產成本通過完全轉換為20納米節點,使得平均年增長率為15.0%~25.0%,並開始量產1X節點。
美光仍然在20nm節點上生產其主要DRAM產品,而三星已將其大部分生產轉向更高級節點。
在NAND市場,美光公司通過跳過平面NAND的節點縮減並直接跳入32層3D NAND技術,將生產成本平均降低了25.0%~30.0%,這使得美光在NAND市場領先於SK海力士。
不過,美光仍然落後於三星,該公司在美國開始大規模生產3D NAND。
美光與同行之間的成本差距
Micron在成本方面落後於競爭對手,因為它在2013~2015年期間進展緩慢。
在DRAM部分,該公司收購了日本的Elpida Memory,這將使Micron的注意力和資源轉向整合收購公司。
因此推出20納米節點產品很慢。
在NAND部分,美光公司決定不投入時間和金錢進入平面NAND節點收縮。
相反,它直接跳入第一代3D NAND技術,以便在這一領域取得領先地位。
3D NAND技術幫助美光公司顯著降低了生產成本,使其相較於生產平面NAND的同行具有成本優勢。
這提高了美光在移動快閃記憶體和SSD(固態硬碟)市場中的競爭力。
美光通過轉型為1Y DRAM節點和64層3D NAND技術,這樣可以降低與競爭對手之間的成本差距。
這有助於該公司的增長率略高於行業。
雖然成本優勢有助於美光公司報告取得更好的收益,但仍然容易受到存儲行業周期變化的影響。
接下來,我們將了解行業周期如何影響美光。
美光如何應對存儲周期變化
周期變短
隨著需求多樣化和供應商的整合,存儲市場周期越來越有利可圖。
在最近的技術會議上,美光財務長Ernest Maddock談到了存儲周期的不斷變化以及「供應紀律」在控制這些周期中的作用。
從上圖可以看出,存儲周期的持續時間越來越短,這些周期的收入影響力隨著每一個新的周期而變小。
Maddock表示,由於存儲器製造商維持」供應紀律「,上一輪下滑周期僅持續了一年 - 從2015年下半年到2016年上半年。
控制供應量使存儲器廠商在經濟衰退中倖存下來
早些年,由於有很多廠商,供應量增長並沒有受到紀律的限制,而是採取價格戰來搶占市場份額。
近年來,行業3強,三星、SK海力士和美光,保持了較為嚴格的」供應紀律「。
例如,存儲行業在2015年和2016年面臨DRAM供大於求的局面,這損害了這3位玩家的利潤。
三星和SK海力士因此在2016下半年停止了DRAM生產,以控制供應,這有助於縮短下行周期,並減少其對存儲收入的影響。
Maddock表示,供應紀律不僅可以幫助供應商在上漲期間保持高價格和現金流,還有助於加快經濟衰退或中國內存製造業擴張等突發事件的技術轉型。
存儲需求
雖然存儲器製造商可以控制供應,但它們無法控制需求。
Maddock在一次會議上解釋說,在2015~2016下降周期,在SK Hynix的DRAM工廠發生火災後,2014年DRAM供應短缺,Micron正忙於整合蘋果DRAM供應商Elpida Memory。
這些事件在市場上占據了大量的DRAM容量。
為了解決供應短缺問題,供應商在2015年增加了DRAM產量,但是PC的需求卻出乎意料地下降。
這使業界出現了大量的DRAM庫存,但需求有限。
如何促使美光擴大產能?
建設新產能的成本在不斷增加,需求環境依然不穩定。
謹慎的做法,美光不希望提高生產能力,而公司產量的任何增長可能是由於技術轉型。
假設一個情景,如果PC的需求同比增長5.0%,智慧型手機的增長將會加快,公司將會增加產能。
美光對DRAM需求的看法
DRAM市場行情
DRAM是占據存儲市場50%以上的關鍵產品。
這個市場由3位玩家主導:三星,SK海力士和美光。
DRAM的終端市場可以分為移動和非移動兩大類,包括伺服器、個人電腦、汽車以及移動以外的任何其他嵌入式設備。
DRAM市場呈高度周期性變化,由供需關係控制。
DRAM需求增長動力
美光公司預計,2016~2020年,DRAM需求將以每年20%的複合年增長率增長。
這一需求將在很大程度上受到設備數量的增加和每台設備存儲容量增加的驅動。
雖然IDC預計智慧型手機出貨量將在2017年同比增長4.2%,但TrendForce估計,智慧型手機的平均內存量將在2017年同比增長33.0%。
終端市場需求
DRAM需求是行業玩家無法控制的,因為它取決於終端消費者設備的需求。
個人電腦
在2015年的存儲行業,PC所需的出貨量預計同比下降2.0%,實際同比下降10.4%。
即使其他終端市場健康成長,這一意外下滑造成了DRAM供過於求的局面。
美光公司已經將重點從PC轉移到多元化的移動設備和伺服器上,因為預計PC需求將在2020年之前持續下降。
英特爾也是這樣做的。
在納斯達克第16屆投資者計劃大會上,美光財務長Ernest Maddock表示,個人電腦占「總需求量可能不到20%」。
他表示,PC出貨量預計將在2017年增加,但近些年總體保持平穩或下滑。
每台PC的所需的存儲容量可能會適度增長。
移動、伺服器和汽車
在移動設備、伺服器和汽車行業的強勁增長方面,DRAM的需求可能在很大程度上受制於設備數量和每個設備的存儲容量。
伺服器出貨量預計在2017年增長5.0%,預計每台伺服器的內存容量將增長40.0%。
這種存儲器是GPU製造商,如Nvidia使用的高性能、高吞吐量的DRAM,其可以提高伺服器的處理能力。
開發細分市場
隨著我們向AI(人工智慧)邁進,邊緣計算的概念越來越強。
安全攝像機不僅捕獲圖像和視頻,還要進行處理和計算。
這就需要大量DRAM。
然而,人工智慧仍處於早期階段,隨著人工智慧採用量的增加,增長可能會在2020年到來。
接下來,我們來看看DRAM供應。
美光估算DRAM供應
DRAM行業供應情況
存儲行業的玩家無法控制DRAM需求,因為它受到終端消費者需求的控制,這是難以預測的。
但他們可以控制供應。
多年來,DRAM市場從30家供應商整合到3家:三星、SK Hynix和Micron。
只有幾個行業參與者,可以保持供應紀律,因為他們分享了類似的需求環境。
美光預計到2020年,DRAM行業的複合年增長率為15.0%-20.0%。
有紀律的資本支出並不能阻止下滑
供應商沒有計劃在2017年增加新的DRAM生產能力。
任何容量擴張將來自技術轉型。
這將導致2017年DRAM供應邊際增長,反過來又將抬升DRAM價格。
但是,這不同於3年前的情況。
在摩根大通技術媒體與電訊會議上,美光財務長Ernest Maddock以2014年上市周期為例。
2014年,SK海力士的DRAM設備的火災使得市場上出現了大量缺貨。
第二名,Micron正在鞏固日本Elpida Memory的業務,這減慢了供應增長。
這就推動了三星的供應負擔。
三星解釋說,供需缺口有所不同,競爭對手無法滿足需求。
這樣就帶來了新的網絡容量。
SK海力士和美光在2015年中期解決了他們的產能問題。
然而,增加的DRAM容量遇到PC業務的意外下滑,導致DRAM供大於求。
雖然能力擴張計劃好,但卻不能防止供過於求的情況。
競爭對手能否擴大DRAM產能?
在美銀美林2017全球技術大會上,馬多克解釋說,諸如低借款成本和高DRAM價格等暫時性因素並不會影響供應商的資本支出。
他解釋說,新的DRAM設備上線將需要數十億美元,至少需要兩年時間。
一旦容量上線,就可以在未來10~15年內產生回報。
因此,產能擴張的決定受到需求的影響,工廠的規模取決於需求的強度。
麥克多克表示,如果Micron認為PC需求每年增長5.0%,智慧型手機需求將會加速,Micron可能會考慮擴大其DRAM產能。
事實上,美光對DRAM需求的增長並不樂觀,因此不會投資於新的產能。
它更願意投資新技術,以促進增長。
我們將在下一部分分析一下。
美光的DRAM資本支出
技術轉型推動DRAM供應增長
美光科技預計到2020年,DRAM行業的供應量平均年增長率為15.0%-20.0%,主要增長動力源於技術轉型。
美光公司的財務長Ernest Maddock預計供應將在此範圍的低端發展,因為每個高級節點產生的增量都較少。
技術轉型如何限制供應
在納斯達克第36次投資者大會上,Maddock解釋說,先進技術不會產生更多的晶圓。
DRAM設備可以在20nm(納米)節點上處理100個晶片。
當設施轉移到18納米節點時,晶粒尺寸縮小,每晶圓位數可能增加25.0%-30.0%。
隨著模具尺寸的縮小,設備必須在模具上沉積更多層,並蝕刻細紋理的幾何形狀。
這增加了在蝕刻過程中花費的時間。
因此,相同的設備處理較少的晶圓,代替100個晶圓,先進的節點可以蝕刻95個晶圓。
然而,每晶圓的位數會增加。
每個節點收縮使得總體位數在增加,但由於更少的晶圓被蝕刻,所產生的增加位數正在下降。
一家公司可以通過添加更多設備來處理100個晶圓。
Micron的DRAM資本支出在哪裡?
隨著存儲市場的成熟,資本密集度降低,這意味著與回報相比,花費的資本少。
雖然美光在DRAM收入中所占的收益超過了60.0%,但其資本支出占DRAM的40.0%-50.0%。
在未來的兩三年內,美光計劃花費20億美元將其日本(EWJ)工廠轉換為DRAM中心。
它計劃開發用於智慧型手機、數據中心和自駕車的下一代存儲晶片。
Nvidia和英特爾的主要客戶將其產品集中在AI 上,將專注於開發適用於AI應用的高端DRAM產品。
另一方面,三星在韓國的一個新的DRAM工廠投入了87億美元。
接下來,我們將看看NAND市場。
美光的NAND需求展望
DRAM的需求預計將以年均20.0%的速度增長,到2020年將以15.0%~20.0%的速度增長。
另一方面,NAND市場可能會比DRAM增長快速。
NAND市場占存儲市場的30.0%,即480億美元。
在NAND市場中,320億美元用於非存儲產品,而160億美元用於SSD(固態硬碟)。
NAND市場主要由美光、SK海力士和西數(WDC)-Toshiba合資公司把持。
目前,所有NAND玩兒家正在進行從平面到3D NAND的技術轉換。
三星和美光在3D NAND市場上處於領先地位,其他的也在追趕。
他們大多數可以在2017年下半年投入量產。
TrendForce預計3D NAND將在第三季度占總體行業NAND產量的50.0%以上。
由於需求不斷增加,向3D NAND的過渡形成了NAND供應不足的局面。
NAND需求前景
美光預計,2016~2020年,NAND的年複合增長率為45.0%。
這主要得益於SSD和移動領域的強勁需求。
SSD
美光預計,2016~2020年SSD需求將增長超過50.0%。
由於SSD更快、更耐用、功耗更高、存儲容量更高,因此SSD是HDD(硬碟驅動器)的直接競爭性替代品。
雖然SSD在筆記本電腦和伺服器中的採用率已經上升,但仍然有很大的市場等待挖掘。
像SanDisk和Micron這樣的存儲製造商已經在供應鏈中拓展產能,開始製造SSD,而不是為SSD提供快閃記憶體。
移動
另一個重要的需求驅動是移動NAND。
正如我們在本系列的其他部分所看到的,每個智慧型手機的內存容量正在顯著增加。
即使是基本的移動設備也有較高的內存。
美光預計2016~2020年移動NAND需求將增長40.0%~50.0%。
由於美光在移動NAND市場中占有的份額很小,因此供應環境緊張,導致其他移動NAND製造商無法滿足市場需求,因此有充足的機會增加其市場份額。
蘋果在2017年推出其下一款iPhone時,可能會占據整體NAND產能的主要部分。
接下來,我們來看看NAND供應環境。
美光對NAND供應的看法
由於存儲和移動市場的強勁增長,美光科技預計3D NAND需求將大幅增長。
NAND市場在2017上半年的供貨量增長放緩後,平面NAND容量下降,主要精力都在安裝3D NAND設備上。
這使得NAND市場供應緊張。
然而,隨著行業玩兒家將3D NAND產品上線,供應可能在2017年下半年有所改善。
NAND市場的資本支出
三星計劃在2017年7月在韓國新建工廠,開始生產其64層NAND晶片。
東芝和西部數據的合資企業計劃在2017年下半年開始生產64層3D NAND晶片。
在生產36層和48層3D NAND晶片後,SK海力士推出了其72層3D NAND產品,並計劃於2017年下半年開始批量生產72層晶片。
美光已經將超過50.0%的NAND產能轉換為3D NAND,並計劃在2017年第三季度將其增長到75.0%。
新產能導致NAND供應過剩?
美光公司財務長Ernest Maddock並不期望在2017下半年推出新的3D NAND產品,從而在未來的12~18個月內創造供大於求的情況。
由於蘋果對其下一款iPhone的需求強勁,而SSD供應商的需求也在不斷增加,他預計所有新產能將被吸收。
在美銀美林2017全球技術大會上,Maddock表示,3D NAND技術需要高額的資本支出,因為技術是新的。
隨著技術的成熟,其資本密集度將逐漸減弱。
下面,我們將介紹美光的3D NAND戰略。
美光的3D NAND戰略
隨著存儲器廠商開始大規模生產64層3D NAND,NAND市場將有大量的新產能上線。
三星和美光科技自從在業界開始生產3D NAND以來,一直在該市場領先。
Micron的財務長Ernest Maddock在Robert W Baird全球消費者技術與服務大會上表示,Micron的50.0%的NAND產品是3D NAND,預計2017財年將增長到75.0%,2018財年將達到90.0%。
然而,由於其與汽車客戶之前有長期供貨合同,它將在4~5年的時間內保持10.0%的NAND供應量。
3D NAND使美光更具成本競爭力
在過去兩年中,美光通過轉型為3D技術,將複合年均複合增長率降至20.0%-30.0%。
據分析師分析,NAND Flash行業總產量中只有50.0%將在第三季度轉為3D NAND。
屆時,美光將把75.0%的NAND輸出轉換成3D NAND。
這意味著該公司比其競爭對手具有成本優勢。
Micron的NAND生產增長也是在NAND供應緊張的時候,使其獲得更大的市場份額。
Maddock表示,Micron的64層設計與其他64層設計相比具有競爭優勢。
Micron的CMOS在Array架構下,將電晶體置於陣列之外,而不是陣列旁邊,允許其在晶片上封裝更多的電晶體,從而實現更高的性能。
美光表示,其64層晶片將比32層晶片多80.0%,並且比32層晶片具有40.0%的成本優勢。
3D NAND可以拓寬美光的客戶群
64層晶片的成本優勢可能為SSD開闢新市場,由於成本高,32層晶片無法實現。
64層晶片將使PC市場享受SSD的好處,而不損害利潤。
雖然NAND廠商正在增加其3D NAND產能,但一些分析師擔心東芝NAND業務的銷售可能會擾亂供應紀律。
關於這一點,我們將在下一篇文章中分析。
來源 |marketrealist
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