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三星擬率先量產3nm晶片製造工藝 性能較5nm預計提升30%

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1月3日消息，據國外媒體報導，在晶片製造工藝方面，為蘋果、華為等製造晶片的台積電近幾年走在行業的前列，率先量產了7nm工藝，更先進的5nm工藝預計在今年一季度投產。


但在下一代的3nm晶片製造工藝方面，台積電可能會有來自三星的挑戰，後者擬率先使用這一先進的工藝製造晶片。

外媒是在三星電子實際領導人李在鎔參觀韓國京畿道華城的半導體研發中心的報導中，透露三星擬率先量產3nm工藝的，在當地時間周四的這一次參觀中，李在鎔他們討論了成為全球首個利用3nm工藝製造晶片的戰略。

從外媒的報導來看，三星電子的3nm製程工藝，將採用GAA架構，這一架構也是目前FinFET技術的繼任者，能使晶片製造商發展到微晶片的工藝範圍。

在3nm的工藝量產之前，三星還需要量產5nm工藝，三星在去年4月份完成了基於EUV技術的5nm FinFET製程技術的研發，預計在今年上半年能夠大規模量產。

三星方面表示，同5nm製程工藝相比，3nm GAA技術能使晶片的理論面積縮小35%，能耗則能降低50%，性能則會提高30%。

周四參觀華城的半導體研發中心，是三星電子披露的李在鎔在2020年的首個官方行程，三星的發言人表示，李在鎔再次參觀華城的報導體研發中心，凸顯了三星電子成為頂級非存儲晶片製造商的決心。

亞馬遜、Facebook等沒有晶片製造能力的科技巨頭們都已開始自研AI晶片和數據中心晶片，以更好的適應自身業務的發展，這也將導致對晶片製造需求的增加，三星已看好這一領域的發展，準備增加在晶片製造方面的投資，去年年底，三星電子已宣布計劃未來10年投資133萬億韓元，摺合約1147億美元，用於發展晶片製造業務。

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