缺芯少魂的半導體行業,終於迎來了存儲器技術的突破

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4月27日訊,市場傳出武漢光電國家研究中心研發團隊正在全力研發「下一代存儲晶片」。

研發負責人稱:正在攻關基於相變存儲器的3D XPOINT存儲器技術,預計明年能在實驗室研發成功。

屆時,晶片的讀寫速度將比現在快1000倍,可靠性提高1000倍。

目前我國95%的存儲器晶片依靠進口,一旦技術產業化成功,將顛覆產業格局,有望實現對英特爾等產業巨頭的彎道超車。

最近中興被美政府禁售晶片一事,一夜之間讓半導體產業「缺芯少魂」的尷尬處境,在大眾的眼光下暴露得體無完膚。

晶片半導體作為國之重器,把握著信息產業發展的命脈,但核心技術卻多年來在歐美日韓的限制下匍匐難前,成為大國全面發展的最大隱患。

盛世創富認為,2017年世界半導體市場規模為4086億美元,集成電路產品市場銷售額達到3401億美元,占全球半導體市場總值的83.2%之多,而存儲器電路產品市場銷售額為1229.18億美元,占到全球半導體市場總值的三分之一,龐大的消費級市場,給予了存儲器產品行業巨大的發展空間,隨著國內存儲晶片技術不斷的突破,產業升級也將帶來進一步的發展機會。

目前存儲器主要包括DRAM(內存)、NANDFlash(快閃記憶體)以及NORFlash,其中DRAM和NANDFlash約占95%以上存儲器市場。

盛世創富認為,從最早的桌上型電腦、個人電腦,到智慧型手機、平板電腦,再到大數據、雲計算 、物聯網、5G、AI,存儲器的作用至關重要,近年來存儲器行業蓬勃發展,去年增速更是超60%,但國內自主生產的 DRAM晶片幾近為零。

目前行業技術更新速度降低,給予了後進者彎道超車的機會,而在龐大的消費級市場,以及國家大力發展下,在國內已有大規模成熟的晶片製造、封裝測試企業,國內DRAM存儲器的發展可謂迎來了「天時地利人和」。

在今年2018年1月,由合肥長鑫、長鑫存儲、睿力集成共同在合肥成立 5 年規劃的DRAM存儲器「506項目」,一期總投資 534億元人民幣,為自主發展主流 DRAM存儲器 IDM一廠廠房也已在1月建設完成,並開始設備安裝;2018年底,第一個中國自主研發的 DRAM 晶片有望在合肥誕生。

目前國內DRAM雖然起步較晚,但發展的勢頭卻十分強勁,下游需求十分旺盛,今年來,內存價格指數(DXI)也是從6000點上漲到如今的30000點。

智慧型手機運行內存也從1G到2G、3G、4G 、6G、8G升級導致移動式DRAM快速需求增長,同時APP應用市場快速發展導致伺服器內存需求增長。

展望未來,國內DRAM行業發展將持續景氣,國產替代市場持續放量,相關上市公司將持續受益,具體可關注DRAM上市公司以及參與製造、封裝測試企業:

兆易創新(603986):NorFlash&DRAM龍頭,首次進入營收前十名,憑藉其在NORFlash和32bitMCU上的出色市場表現,2017年營收成長率有望突破40%,超過人民幣20億元。

公司是中國唯一的存儲晶片全平台公司。

主要產品為NORFlash、NANDFlash及MCU,且已牽手合肥產投,進軍DRAM領域

紫光國芯(002049):DRAM已量產,依託長江存儲打造NAND龍頭。

公司的DRAM存儲器晶片已形成了較完整的系列,包括SDR、DDR、DDR2和DDR3,並開發相關的模組產品。

目前,公司的DDR4內存模組已經開始量產並且能夠長期供貨。

雖然目前產品產量很小,市場份額不大,但DRAM為國內稀缺,進口替代潛力空間大。

此外,公司開發完成的NANDFlash新產品也已開始了市場推廣。

長電科技(600584):國內封測龍頭。

通過併購星科金朋,公司躋身全球半導體封裝行業前三,同時形成了各具特色的七大基地。


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