存儲器彎道超車的時機終於到了！晶片又一突破

4月27日訊，市場傳出武漢光電國家研究中心研發團隊正在全力研發「下一代存儲晶片」。

研發負責人稱：正在攻關基於相變存儲器的3D XPOINT存儲器技術，預計明年能在實驗室研發成功。

屆時，晶片的讀寫速度將比現在快1000倍，可靠性提高1000倍。

目前我國95%的存儲器晶片依靠進口，一旦技術產業化成功，將顛覆產業格局，有望實現對英特爾等產業巨頭的彎道超車。

最近中興被美政府禁售晶片一事，一夜之間讓半導體產業「缺芯少魂」的尷尬處境，在大眾的眼光下暴露得體無完膚。

晶片半導體作為國之重器，把握著信息產業發展的命脈，但核心技術卻多年來在歐美日韓的限制下匍匐難前，成為大國全面發展的最大隱患。

盛世創富認為，2017年世界半導體市場規模為4086億美元，集成電路產品市場銷售額達到3401億美元，占全球半導體市場總值的83.2%之多，而存儲器電路產品市場銷售額為1229.18億美元，占到全球半導體市場總值的三分之一，龐大的消費級市場，給予了存儲器產品行業巨大的發展空間，隨著國內存儲晶片技術不斷的突破，產業升級也將帶來進一步的發展機會。

目前存儲器主要包括DRAM（內存）、NANDFlash（快閃記憶體）以及NORFlash，其中DRAM和NANDFlash約占95%以上存儲器市場。

盛世創富認為，從最早的桌上型電腦、個人電腦，到智慧型手機、平板電腦，再到大數據、雲計算 、物聯網、5G、AI，存儲器的作用至關重要，近年來存儲器行業蓬勃發展，去年增速更是超60%，但國內自主生產的 DRAM晶片幾近為零。

目前行業技術更新速度降低，給予了後進者彎道超車的機會，而在龐大的消費級市場，以及國家大力發展下，在國內已有大規模成熟的晶片製造、封裝測試企業，國內DRAM存儲器的發展可謂迎來了「天時地利人和」。

在今年2018年1月，由合肥長鑫、長鑫存儲、睿力集成共同在合肥成立 5 年規劃的DRAM存儲器「506項目」，一期總投資 534億元人民幣,為自主發展主流 DRAM存儲器 IDM一廠廠房也已在1月建設完成，並開始設備安裝；2018年底，第一個中國自主研發的 DRAM 晶片有望在合肥誕生。

目前國內DRAM雖然起步較晚，但發展的勢頭卻十分強勁，下游需求十分旺盛，今年來，內存價格指數（DXI）也是從6000點上漲到如今的30000點。

智慧型手機運行內存也從1G到2G、3G、4G 、6G、8G升級導致移動式DRAM快速需求增長，同時APP應用市場快速發展導致伺服器內存需求增長。

展望未來，國內DRAM行業發展將持續景氣，國產替代市場持續放量，相關上市公司將持續受益，具體可關注DRAM上市公司以及參與製造、封裝測試企業：

兆易創新（603986）：NorFlash&DRAM龍頭，首次進入營收前十名，憑藉其在NORFlash和32bitMCU上的出色市場表現，2017年營收成長率有望突破40%，超過人民幣20億元。

公司是中國唯一的存儲晶片全平台公司。

主要產品為NORFlash、NANDFlash及MCU，且已牽手合肥產投，進軍DRAM領域

紫光國芯(002049)：DRAM已量產，依託長江存儲打造NAND龍頭。

公司的DRAM存儲器晶片已形成了較完整的系列，包括SDR、DDR、DDR2和DDR3，並開發相關的模組產品。

目前，公司的DDR4內存模組已經開始量產並且能夠長期供貨。

雖然目前產品產量很小，市場份額不大，但DRAM為國內稀缺，進口替代潛力空間大。

此外，公司開發完成的NANDFlash新產品也已開始了市場推廣。

長電科技（600584）：國內封測龍頭。

通過併購星科金朋，公司躋身全球半導體封裝行業前三，同時形成了各具特色的七大基地。