技術牛人的加入，中國晶片製造可望取得突破

中國最大的晶片代工廠中芯國際近日宣布台積電前研發資深處長梁孟松將擔任其共同CEO，這對於中國的晶片製造業來說可謂是一個重大的利好消息，這將有助於中國迅速縮短與三星和台積電的差距。

梁孟松是台積電的技術研發大將，2003年台積電以自主技術擊敗IBM揚名全球的130nm「銅工藝」，被認為梁孟松的功勞僅次於資深研發副總蔣尚義，可見梁孟松對台積電的重要性。

隨後他在台積電的工藝演進中繼續擔任重要角色，更是FinFET工藝的重要負責人。

梁孟松出走三星後，三星從28nm跳躍至14nmFinFET，並先於台積電的16nmFinFET約半年時間量產，並在隨後的10nm工藝上再次領先台積電量產，據說他還參與三星的7nm工藝研發，三星方面已確定明年下半年量產引入EUV技術的7nm工藝，而台積電明年量產的7nm工藝未加入EUV技術要到後年才能加入該技術，這意味著三星將再次在7nm工藝上領先台積電。

由此可見梁孟松在晶片製造工藝研發上所擁有的強大實力，也因此當外界傳聞他將加入中芯國際後各方均極為矚目，如今該消息坐實並且他將擔任中芯國際的共同CEO，也可見中芯國際對他的重視。

除了梁孟松外，同樣為台積電的晶片製造工藝做出重要貢獻的蔣尚義也已加入中芯國際並擔任獨立董事，兩位台積電前重要技術專家的加入，讓中國業界對中芯國際在先進工藝研發上取得突破抱有期待。

中芯國際已投產28nm工藝，目前正在研發14nmFinFET並預期明年試產，梁孟松和蔣尚義的加入或許有助於中芯國際的14nmFinFET如期投產，應對台積電在中國大陸建設的南京工廠帶來的挑戰。

台積電面對中國大陸迅速發展的晶片產業當然心動，此前它已有上海松江廠，不過松江廠主要生產8寸晶圓無法滿足大陸晶片企業的需求，南京廠則生產12寸晶圓並且將引入16nmFinFET工藝，這對中芯國際來說是非常大的挑戰，迫使中芯國際需要及時投產14nmFinFET工藝予以應對。

梁孟松的加入還將有助於中芯國際研發更先進的10nm甚至7nm工藝，從梁孟松加入三星之後幫助它在14nmFinFET、10nm、7nm工藝的研發可知他的實力，而中芯國際任命他擔任共同CEO很可能會委任他負責工藝研發工作，再加上大陸集成電路產業基金的支持，中芯國際在先進工藝上預計將迅速取得突破。

中國的晶片設計企業已取得許多優異的成績，手機晶片行業成長起了華為海思、展訊等晶片設計企業，平板晶片企業則有瑞芯微，穿戴設備有君正，唯獨在晶片製造方面稍微落後，中芯國際作為中國大陸最大的晶片製造企業承擔了推進先進工藝研發的重任，如它在先進工藝方面取得突破，中國晶片產業整體將會同步前進，也將有助於中國製造向中國創造轉型。