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華為麒麟1020配置再曝：5nm成就每平方毫米1.713億個電晶體

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12月17日消息，前不久高通發布了驍龍765/765G/865三款處理器，而華為作為高通的對手，現在關於華為下一代麒麟旗艦也開始頻繁爆料，業內預計該晶片很有可能會在明年下半年的Mate 40系列上首發。

據介紹，麒麟990 5G處理器採用了台積電7nm EUV工藝，集成103億個電晶體，移動SoC中首次過百億，晶片面積為113.31平方毫米，算下來每平方毫米大約9090萬個電晶體。

而華為下一代旗艦SoC有消息稱會命名為麒麟1020，代號巴爾的摩(Baltimore)，爆料稱相比於麒麟990性能可提升多達50%，主要原因是CPU架構從A76跨代升級到A78，領先高通驍龍865、聯發科天璣1000里使用的A77，同時標配集成5G基帶。

麒麟1020幾乎確實將會採用台積電5nm工藝，電晶體密度自然將大大提升，最新消息稱每平方毫米有望達到1.713億個左右，對比麒麟990 5G增加了接近90%。

而5nm工藝將是台積電的又一個重要工藝節點，使用第五代FinFET電晶體技術，EUV極紫外光刻技術也擴展到10多個光刻層，並分為N5、N5P兩個版本，前者相比於N7 7nm工藝性能提升15%、功耗降低30%，後者在前者基礎上繼續性能提升7%、功耗降低15%。

據了解，目前台積電正在試產5nm，測試晶片平均良品率高達80%，最高可超90%，預計在明年上半年投入大規模量產。

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