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台積電奔向7nm，繼續爭做全球第一

2020-09-09

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技術改變世界，

但世界同時也在埋葬技術。

來自外媒的消息報導說，預計到2018年底，台積電用7nm工藝完成流片的晶片設計將超過50款，而到2019年底會有100多款晶片採用其7nm和增強版7nm EUV極紫外光刻技術。

阿明觀察分析：搶奪全球晶片代工製造的話語權，台積電TSMC可謂真的是拼了。

在此之前，有消息透露台積電7nm EVU已經完成了晶片流片，7nm EVU相比於7nm DUV電晶體密度提升20%，同等頻率下功耗可降低6-12%。

極紫外光刻（Extreme Ultraviolet Lithography），常稱作EUV光刻，極紫外線就是指需要通過通電激發紫外線管的K極然後放射出紫外線。

業界有人曾提到，EUV 光刻的技術能夠拯救摩爾定律。

這是，EUV光刻機的價格高達一億美金。

目前，全球可以量產7nm工藝製程EUV光刻機的也只有ASML了。

更有意思的是，不僅ASML光刻機耗電量驚人。

一台輸出功率為250W的EUV光刻機工作一天，光是光源這一項，就會消耗3萬度電。

同時用於ASML的鏡片也是祖傳的，採用蔡司技術打底。

鏡片材質做到均勻，需幾十年到上百年技術積澱。

德國，拋光鏡片的工人，祖孫三代在同一家公司的同一個職位。

話又說回來，台積電計劃在2020年大規模量產7nm EUV，不得不提前布局，提前投入技術和人才為此而努力。

當然，隨著7nm EUV技術登台亮相，早先的28nm工藝利用率自然會大幅度下滑。

因此技術創新疊代的同時，如何打理好老技術的利用價值，也是對台積電一個不小的挑戰。

（Aming）

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