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技術新突破 英特爾公布3D晶片製造方法

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【手機中國新聞】在晶片製造中隨著製程進步，把電晶體擠到一起變得越來越困難，而我們現在已經接近摩爾定律的終點，唯一的選擇就是垂直放置。

這就是3D晶片設計的精髓所在，也是英特爾發布的重大聲明的關鍵所在，它開發了第一個3D晶片架構，允許邏輯晶片(比如CPU和圖形)堆疊在一起。

這不是一個遙不可及的研究項目，英特爾宣稱，我們將在明年下半年看到首批使用Foverus的產品。



英特爾處理器

我們已經在AMD的R9 Fury X這樣的顯卡上，看到了3D堆疊的高帶寬內存(R9 Fury X是由AMD前圖形主管Raja Koduri設計的，他現在是英特爾核心和視覺計算部門的領導者)，但是Foverus將這一概念提升到了一個全新的高度。

英特爾表示，它將允許更小的「晶片粒子」，這種晶片描述位於基本晶片之上的快速邏輯晶片，處理諸如電源輸入/輸出和電源傳輸等任務。

Foverus的首個產品聽起來很吸引人，它將是一個10納米的計算元件，其基礎晶片通常用於低功耗設備。



英特爾處理器

最大的收穫是，英特爾將能夠在占用更少空間的晶片設計中，加入更多的電晶體提高自身的效率。

該公司沒有透露第一個配備foverus的晶片將會由誰推出，但聽起來它非常適合輕薄的機器。

高通(Qualcomm)新推出的個人電腦驍龍(Snapdragon)處理器，可能會面臨來自英特爾(Intel)的競爭。

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