NAND軍備競賽：三星、東芝持續擴產，Intel攜手美光強勢歸來

隨著NAND Flash價格的連續走低，為了防止過量的NAND快閃記憶體供應導致市場崩潰，NAND生產廠商將紛紛採取手段遏制供大於求的現狀，具體來講就是全方位的減緩生產速度--少切點晶圓，慢建新產線。

5G時代，三星、東芝、英特爾將形成三足鼎立之勢

隨著全球5G商用逐步開展，各國紛紛著力打造數字經濟，雖然目前數據中心市場仍處於庫存調整期，市場需求並不十分熱烈，加之現階段市場處於4G、5G交接點，然而毋庸置疑的是，未來數據大爆發時代，對數據中心的需求一定會逐年增長。

各大科技巨頭顯然已經窺見到這一趨勢，早已開始布局建設。

據相關數據，2018年全球超大規模數據中心430個，較2017年增長11%，美國仍占主要雲和網際網路數據中心的40%，其次是中國、日本、英國、澳大利亞和德國，這些國家加起來占總數的30%。

隨著亞馬遜/AWS、微軟、IBM和谷歌在數據中心的投入，預計2019年年底前全球超大規模數據中心的總量將會超過500個。

為了解決數據中心存儲需求的增長，三星企業級SZ985 Z-SSD，基於新的Z-NAND技術、新的高性能存儲控制器和1.5GB LPDDR4高速緩存，與三星PM963 NVMe SSD相比，750000 IOPS下可以提供了1.7倍的隨機讀訪問性能，將直接跟英特爾Optane傲騰SSD展開競爭。

英特爾DC P4801X是基於3D XPoint技術面向企業級的SSD產品，走PCIe 3.0 x4通道，容量提供100GB、200GB和375GB，M.2 22x110mm和U.2 15mm規格形態，最高順序讀取2500MB/s，最高順序寫入2200MB/s；最高隨機讀取550000 IOPS，最高隨機寫入550000 IOPS，讀取延遲10μs。

東芝新的XL-Flash的面世將與英特爾3D Xpoint技術和三星Z-NAND技術展開競爭，且率先在SSD市場拉開戰局，瞄準數據中心、企業級市場海量數據存儲需求。

此外，東芝存儲器為了抓住數據中心存儲器市場，不排除併購的方式。

可見，各家原廠已經蓄積力量，瞄準數據中心市場。

美國掌握20%-30%存儲晶片市場

據統計，全球前三大內存供應商和市場份額分別為三星42.7%、SK海力士29.9%、美光23%。

再者，全球前五大NAND Flash供應商分別為三星、東芝、西部數據、美光等，其中三星市占率約30% 、美光約15%。

快閃記憶體市場如果以美光加上西部數據的全球份額，可能高達30% ，華為在存儲晶片上能依存的命脈，就只剩下三星、 SK 海力士，因為東芝加入禁運的可能性也是不小。

華為每年採購韓系零部件金額約100億美元，其中在存儲晶片的供應是依賴三星和SK海力士提供DRAM 和 NAND Flash晶片。

行業內人士分析，三星等韓系大廠目前仍在維持對華為的供應，處境應與台積電類似，雖然三星的DRAM和NAND Flash技術多數掌握在自己手上，但在製造方面，根據美國商務部的「出口管制」規定，只要銷售給華為的產品當中涵蓋硬體、軟體等的美國技術含量超過25% ，就會被要求禁止，但三星和台積電都未把機台設備計算進去，因此可以繼續供貨。

此外，英特爾作為最早做儲存器的企業之一，已經連續多年是是全球半導體銷售額的首位， 如今時隔34年後它宣布要重返存儲器市場。

發布新一代存儲器業務戰略，將炮火瞄準存儲器半導體大廠三星電子和SK海力士。

上個月，英特爾介紹了其在3D NAND快閃記憶體上的最新動態。

英特爾透露，2019年第四季度將會推出96層的3DNAND快閃記憶體產品，並且還率先在業內展示了用於數據中心級固態盤的144層QLC（四級單元）NAND，預計將於2020年推出。

英特爾採用3D Xpoint、是與美光聯合發布的新型快閃記憶體技術，號稱是25年來存儲技術的革命性突破，速度是目前NAND快閃記憶體的1000倍，耐用性也是目前快閃記憶體的1000倍，密度是NAND的10倍。

不過英特爾能否如願以償，決定於3D Xpoint產品能否取得眾多伺服器客戶的青睞，目前尚為時過早。

國產追趕仍需時日

在NAND Flash市場中，三星、東芝、鎂光、SK海力士、西部數據、英特爾這六家企業長期壟斷著全球99%以上的份額。

國產儲存在全球市場中目前還影響力不足，東芝高管曾表示：「中國內存廠商在二三年內趕上不容易，他認為市場供應過剩的局面已經終結，此前的供應過剩已將利潤率擠壓至10年來的最低水平。

」

作為後來者的長江存儲，其實早在2018年，就已經量產了32層3D NAND快閃記憶體晶片。

然而在2018年，各家的64層、72層3D NAND快閃記憶體已經是主打產品，早已全面鋪貨，落後一代的差距使得當時長江存儲並沒有引起業界關注。

9月初，長江存儲宣布開始量產基於Xtacking架構的64層256GB TLC 3D NAND快閃記憶體 ，而這也是中國首次實現64層3D NADA快閃記憶體晶片的量產，中國距離國際水平又近了一步。