三星、東芝、英特爾形成三足鼎力之勢，搶占下一波數據中心商機

由於全球經濟持續低迷，全球智慧型手機、PC、數據中心需求低於預期，再加上貿易戰的持續升溫，產業發展的不確定性增加，預計存儲產業需求不振的市況恐將延續至2019年底。

儘管如此，原廠看好5G的發展，尤其是5G終端帶動數據中心和企業級領域的大容量存儲需求爆發，將可望為存儲產業景氣帶來強勁的成長動力。

為了迎接下一波數據中心存儲商機，三星、東芝、英特爾之間的競爭已經拉開序幕。

東芝推出的新存儲器解決方案：XL-Flash，瞄準數據中心商機

日前，東芝存儲器宣布推出新的存儲器解決方案：XL-Flash，該技術是基於Bics Flash 3D NAND技術和SLC，XL-Flash將為數據中心和企業存儲帶來了低延遲和高性能的解決方案，樣品將於9月開始送樣，預計2020年批量生產。

東芝新的XL-Flash與英特爾3D Xpoint和三星Z-NAND一樣，屬於持久性存儲器，是介於DRAM和NAND快閃記憶體之間的產品，不僅具有NAND Flash容量存儲的能力，同時性能介於DRAM和NAND之間。

新的XL-Flash能像DRAM易失性存儲解決方案一樣提供應用程式要求苛刻的訪問速度，同時還解決了密度、成本、性能等問題。

5G時代，下一波數據中心商機，三星、東芝、英特爾將形成三足鼎力之勢

隨著全球5G商用逐步開展，各國紛紛著力打造數字經濟，雖然目前數據中心市場仍處於庫存調整期，市場需求並不十分熱烈，加之現階段市場處於4G、5G交接點，然而毋庸置疑的是，未來數據大爆發時代，對數據中心的需求一定會逐年增長。

各大科技巨頭顯然已經窺見到這一趨勢，早已開始布局建設。

據Synergy Research數據，2018年全球超大規模數據中心430個，較2017年增長11%，美國仍占主要雲和網際網路數據中心的40%，其次是中國、日本、英國、澳大利亞和德國，這些國家加起來占總數的30%。

隨著亞馬遜/AWS、微軟、IBM和谷歌在數據中心的投入，預計2019年年底前全球超大規模數據中心的總量將會超過500個。

為了解決數據中心存儲需求的增長，三星企業級SZ985 Z-SSD，基於新的Z-NAND技術、新的高性能存儲控制器和1.5GB LPDDR4高速緩存，與三星PM963 NVMe SSD相比，750000 IOPS下可以提供了1.7倍的隨機讀訪問性能，將直接跟英特爾Optane傲騰SSD展開競爭。

英特爾DC P4801X是基於3D XPoint技術面向企業級的SSD產品，走PCIe 3.0 x4通道，容量提供100GB、200GB和375GB，M.2 22x110mm和U.2 15mm規格形態，最高順序讀取2500MB/s，最高順序寫入2200MB/s；最高隨機讀取550000 IOPS，最高隨機寫入550000 IOPS，讀取延遲10μs。

東芝新的XL-Flash的面世將與英特爾3D Xpoint技術和三星Z-NAND技術展開競爭，且率先在SSD市場拉開戰局，瞄準數據中心、企業級市場海量數據存儲需求。

此外，東芝存儲器會長Stacy Smith日前在接受路透社採訪時表示，為了抓住數據中心存儲器市場，不排除併購的方式。

Smith認為，現在正是購併的好時機，並指出雲端服務與數據中心的需求，是未來最需要投入資源的其中一個領域。

要設法擴大在這個領域的市占率，很可能著手購併。

日前有新聞報導，東芝將接手光寶科技SSD部門強化其下游SSD產品設計與組裝能力，瞄準下一波資料中心的龐大儲存商機。

可見，各家原廠已經蓄積力量，瞄準數據中心市場。

What is Toshiba’s XL-Flash ?

東芝存儲器最新推出的XL-Flash，該架構與96層BiCS4 3D NAND採用相同的工藝製造，首先在SLC架構上實現，實現了性能的提升，卻也同時降低了存儲密度，有消息稱，其第二代產品將使用MLC架構。

從這個角度看，XL-Flash和三星Z系列SSD相似，都是和英特爾傲騰競爭的高端產品。

東芝為了降低延遲時間、提高性能還縮短了位元線、字線和快閃記憶體cell之間的連結。

此外，XL-Flash增添了更多的快閃記憶體平面，是產品的並行性能得到提高。

東芝聲稱3D NAND XL-Flash的讀取延遲是TLC NAND的十分之一，能夠提供更好的隨機讀取IOP

主要特點：

128千兆位（Gb）晶片（採用雙晶片，4晶片，8晶片封裝）；

4KB頁面大小，可實現更高效的作業系統讀寫操作；

16平面架構，實現更高效的並行性；

快速頁面讀取和編程時間。

XL-FLASH™提供低於5微秒的低讀取延遲，比現有TLC快約10倍

東芝存儲器子公司存儲業務部高級副總裁兼總經理Scott Nelson表示：「藉助XL-Flash技術，正在為超分頻器和企業伺服器/存儲商提供一種更具成本效益、更低延遲的存儲解決方案，彌補DRAM和NAND性能之間的差距。

我們還為新興技術和行業標準打開了大門，這些技術和行業標準將為低延遲存儲解決方案提供不同的規格形態。

東芝的XL-Flash將在成本、性能方面優於競爭對手，提供優質的解決方案」。

What is Intel’s 3D Xpoint ?

3D Xpoint技術是英特爾和美光在2015年宣布研發成功的，業內通常認為是一種基於相變化的新型存儲技術，美光存儲解決方案副總裁之前表示，3D Xpoint是DRAM價格的一半左右，但會比NAND快閃記憶體貴4到5倍。

相較NAND快閃記憶體，英特爾宣稱其有10倍的低延遲，3倍寫入耐久，4倍每秒寫入、3倍每秒讀取的性能提升，以及30%的功耗。

此前，業內人士表示，3D Xpoint有望成為首個面向主流計算系統的商用非易失性存儲。

理論上，3D Xpoint 的速度和耐力可以做到NAND Flash的1000倍，而存儲密度可以使DRAM得10倍且製作成本更低廉，因此被視為結合DRAM和NAND Flash優勢的產品。

基於3D Xpoint技術，英特爾已經推出了一系列傲騰產品，現在已經在消費級和企業級市場有了一定的應用。

美光在2018年10月斥資15億美元收購英特爾持有的生產3D Xpoint產品的IM Flash Technologies股份，並從2019年行使認購期權，之前預計這筆交易將在美光執行認購期權後的6到12個月之內完成，現已正式確定在10月31日完成非控制性權益的出售，待交易完成後IM Flash Technologies將成為美光科技的全資子公司。

這表示了美光對新型存儲設備的信心。

What is Samsung’s Z-NAND ?

三星之前曾表示Z-NAND技術從2018年開始應用於高階企業產品上，2019年更積極推動Z-NAND SSD開始大量應用到數據中心。

Z-NAND是三星V-NAND技術的衍生品，Z-NAND SSD與現在先進的NVMe SSD相比，可以實現更快的訪問和響應，延遲時間降低五分之四，單位讀取速度是普通NAND Flash晶片的10倍，三星推出的第二代Z-NAND技術，在保持讀寫性能的同時，將較第一代降低成本。

此外，Z-NAND SSD可保證最高每日30次整盤寫入，對於工作負載需要較高準確性的關鍵任務型應用，這種可靠度將為其提供強有力的保證。

強周期、重技術的存儲行業，原廠為何更看重數據中心領域？

2019年對存儲市場來講可謂艱難，經歷了市場供過於求，價格持續下跌，加之智慧型手機需求疲軟、PC出貨量下滑、數據中心需求平淡、貿易戰等各種因素，使得各大存儲原廠上半年利潤同比均出現大幅度下滑，甚至虧損。

進入2019年下半年，東芝停電、日韓貿易戰加劇了市場對存儲供應的擔憂，再加上原廠上調價格，根據中國快閃記憶體市場ChinaFlashMarket報價，從6月底開始，僅僅一個多月的時間，消費類NAND Flash綜合價格指數的漲幅就已逼近30%，市場行情有所好轉。

消費類市場NAND Flash綜合價格指數走勢

雖然NAND Flash價格上漲，但是終端需求依然未能如預期好轉。

據IDC數據，2019年Q2季度全球智慧型手機出貨量3.332億部，同比下降2.3%。

Gartner預測2019年全球智慧型手機出貨量15億部，將同比下滑2.5%。

另據Gartner數據，全球PC市場Q2出貨量則為6300萬台，雖然增長1.5%，但2019年的PC需求仍存在不確定性，預計2019年全球PC出貨量將達2.57億台，仍較2018年下降，跌幅為1%。

由於全球智慧型手機和PC市場依然較2018年疲軟，且這一趨勢還將延續，所以各家原廠將目標轉移至數據中心領域，因為5G大數據時代即將到來，會促進數據中心和企業級大容量存儲需求的發展。

另一方面，數據中心和企業存儲相比消費級市場，價格相對穩定，且利潤率更加可觀，這也是各大原廠發力布局這一存儲市場的原因。

9月19日，五大國際原廠齊聚CFMS2019，共話存儲產業未來發展

從目前的產業情況看，以3D Xpoint為代表的新型存儲仍處在發展初期階段，除此之外，磁存儲器、阻變式存儲器等諸多新型存儲技術或將在以後的市場形成割據，但是未來市場哪種技術能夠存留下來還無法定論，但是隨著存儲數據量的不斷增長，各大原廠加入布局新型存儲技術，必然會推動存儲設備朝著小尺寸、高密度高讀取速度、高性能及低成本的方向發展。

經歷了上半年市場動盪，5G逐漸商用，人工智慧、萬物互聯等新興需求也給存儲產業帶來巨大的市場機遇。

但是，存儲發展之路註定充滿荊棘，行業巨頭又是如何規劃抓住時代的順風車？CFMS2019齊聚三星、西部數據、東芝存儲器、美光、英特爾5大國際原廠，將為未來存儲產業發展點亮明燈！