抑制大陸瘋狂挖角，美光起訴上百員工

來源：內容來自經濟日報，謝謝。

DRAM大廠美光出重手反擊陸廠挖角行動，上月配合台灣檢調單位，針對前華亞科及前瑞晶關鍵製程和研發人員跳槽至對岸或協助大陸廠進行DRAM研發，大規模展開搜索，並限制相關人員出境，估計有上百人遭到約談及搜索，在業界掀起極大震撼。

這也是美光去年底寄存證信函給大批從美光陣營跳槽至陸廠或協助大陸進行研發的聯盟廠商後，正式透過檢調單位協助，訴諸法律行動，防止相關營業和技術機密遭竊取。

美光昨天證實已向檢調單位提出重要資訊遭盜用，並配合檢調單位進行調查，但因進入司法調查程序，對到底有多少人遭到調查，目前暫無法對外提供。

消息人士透露，這波遭到美光反制，透過司法途徑對從美光併購後的前華亞科和瑞晶員工展開搜索行動，應是已掌握相關人員竊取營業和技術資料跳槽至大陸公司或協助大陸DRAM研發的台灣半導體廠。

目前他們展開大規模搜索，並限制相關人員出境，估計有上百人遭到約談及搜索，在業界掀起極大震撼。

遭到搜索的相關人員尤其集中華亞科員工。

據了解，在美光提出併購華亞科全數股權後，已有近兩百名員工跳槽至大陸合肥長鑫、紫光集團和福建晉華等公司，因為大陸相關發展DRAM公司祭出比台灣二至三倍高薪，全力挖角。

但紫光集團透過管理澄清，目前挖角前華亞科的員工多數是屬於建廠相關事務人員，紫光集團決定朝自主研發DRAM、儲存型快閃記憶體（NAND Flash）等，目前重心先投入3D NAND Flash研發。

美光展開司法反制行動，確已收到強大恫嚇和阻撓陸廠開發DRAM腳步，據了解，跳槽至福建晉華負責研發利基型DRAM的多位重要成員，也是這次遭到調查和限制出境的對象；由福建晉華出資設在聯電南科廠的試產線已暫時停止，正由檢查人員進行調查。

DRAM三雄盯跳槽陸廠員工

全球三大DRAM廠三星、SK海力士（SK Hynix）及美光，近期不約而同相繼寄出存證信函給跳槽到大陸合肥長鑫、及為福建晉華負責研發的聯電核心成員，全力防堵DRAM技術流入中國大陸，讓全力發展自主DRAM研發的中國大陸踢到鐵板，也讓近期有意跳槽到大陸的華亞科核心技術人員，遭到空前恫嚇。

半導體人士透露，三大DRAM廠強力防止中國大陸借挖角剽竊技術，顯示不樂見DRAM產業寡占局面被中國大陸全力搶進而打破，三大廠採取法律制約員工跳槽的行動，如果能奏效，將使DRAM供給缺口浮現問題再擴大，明年再現飆漲。

中國大陸全力發展記憶體已列為政策目標，目前包括紫光集團、合肥長鍵及福建晉華都相繼提出宏大發展計畫，並且對外挖角行動再擴大。

不過，力晶集團執行長黃崇仁透露，包括三星和SK海力士已寄存證信函給被合肥長鑫挖角的原三星和SK海力士員工，並且措詞強硬，不惜傾所有資源提告。

無獨有偶，美光也發出存證信函給原擔任美光台灣區總經理，後來跳槽到聯電擔任副總經理的陳正坤，而陳正坤正是聯電和福建晉華合作切入生產DRAM的主要負責人，全力防止美光的技術流入中國大陸，在業界引起極大震撼。

消息人士透露，三大DRAM廠寄出存證信函的舉動，也代表掌握一定的資料和證據，發現這些將三大廠的技術轉移到大陸，損及利益，預料後續也會跟著採取法律行動，引起市場密切注意。

據了解，由於合肥長鑫鎖定挖角剛併入美光的華亞科高達200位員工，且多以曾參與美光先進位程的技術人員，美光內部也調派更多的法務人員來台，進行相關搜證和技術保全工作，防範技術遭到剽竊。

台灣南亞科也有部分人員已跳槽到合肥長鑫，但目前多以廠務為主，還未有製程技術人員加入對岸發展記憶體的集團，但南亞科也展開智慧財產財權的保護和宣導工作。

南亞科總經理李培瑛強調，DRAM幾乎是各種科技產品的必備電子元件，中國大陸長期發展一定是以國際化為目標，各系統端電產品絕不能有侵權問題，否則影響重大。

他認為，中國大陸如果用偷取技術為壯大自主記憶體產業為手段，絕對會遭到很大困難，台灣DRAM技術人員不應被短期的高薪誘惑，貿然做出對原公司不利的事。

陸半導體業高薪赴台挖角

大陸積極發展記憶體自主技術，半導體兩大體系紫光和合肥長鑫來台挖角，鎖定華亞科製程相關人才，其中，由合肥市政府主導的記憶體研發團隊合肥長鑫，開出三倍高薪和紫光集團的雙倍薪較勁，震撼半導體界。

大陸高薪挖角的行動，讓本月才正式併入美光的華亞科，甚至台塑集團旗下的南亞科，明年恐現大批人才跳槽，如何留才，成為首要課題。

大陸已將記憶體列為國家發展半導體產業重項扶植項目，除了明定紫光集團為指標廠外，各地方政府也積極整合，希望列入國家級補助計畫之列。

除了積極爭取國外技術授權之外，大陸以武岳鋒為首的大陸基金，和國家大基金都各自積極整合尋求突圍。

其中，以合肥與大陸NAND Flash設計公司兆易創新（Gigadevice）合作的合肥長鑫和清華紫光集團最為積極。

消息人士透露，合肥長鑫除了計畫和武岳鋒基金併入的美商矽成（ISSI）合併外，也挖角前華亞科資深副總經理劉大維，展開對台廠獵才行動。

據了解，合肥長鑫開出現有華亞科三倍的高薪進行挖角，鎖定人數高達200人，遠高於紫光集團祭出的雙倍薪，已有不少人決定投效。

另外，前華亞科董事長高啟全跳槽紫光，擔任紫光集團資深副總裁後，也挖角前華亞科主管廠務的施能煌擔任紫光集團高級副總裁，並相繼帶走近十位子弟兵，投入在武漢興建3D NAND Flash的建廠及後續自主研發DRAM技術作業。

這也是高啟全跳槽紫光後，台系半導體人才面臨空前的挖角行動。

合肥長鑫和紫光集團的動作，都採取先建NAND Flash，自主研發DRAM為輔的策略，紫光集團仍以積極爭取國外大廠技術授權為主要方針，因為跟進國外大廠腳步可確定製程技術與國際同步，也較能確保獲利。

合肥長鑫目標則希望爭取先有自主記憶體技術，產品涵蓋編碼型（NOR Flash）、NAND Flash和DRAM，進而超越紫光，成為大陸主導記憶體發展廠商。

如果再加計前瑞晶總經理陳正坤帶領的台系團隊，投入為福建晉華興建利基型DRAM代工廠，2017年將是台系DRAM人才大舉向大陸靠攏的一年。

下一個目標是台積電？

中國大陸衝刺半導體產業，朝建立自主記憶體和邏輯晶片目標前進，在全球主要三大DRAM廠三星、SK海力士及美光全力防堵技術流向陸廠外，對岸挖角行動也伸向台積電等邏輯晶片代工廠，台廠也得提高警覺。

中國大陸已將半導體產業列為國家重點發展產業，並揭示到2020年自製率要達到50%，到2025年自製率更推升至75%。

大陸各省為爭取國家產業發展基金挹注，也積極朝自建晶圓廠目標前進，發展目標除了記憶體外，還包括應用範圍更廣的邏輯晶片。

據統計，中國大陸目前宣布投入興建12吋晶圓廠投資已高達26件，其中已有12座進入建廠，發展半導體的企圖，已讓全球不敢小覷。

陸廠為達相關政策目標，不惜砸重金搶人才、搶技術。

其中DRAM產業被列為國家政策指標廠紫光集團，已相繼宣示在武漢及南京各自興建年產30萬~35萬片的記憶體生產重鎮；合肥長鑫和福建晉華也都相繼展開建廠行動。

目前DRAM技術只剩三星、SK海力士和美光三大廠，儘管陸廠大舉挖角，但在三大廠反制下，研發時程恐難如預期在2018大舉投入DRAM生產。

今天是《半導體行業觀察》為您分享的2017年第95期內容，歡迎關注。

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