大陸發展存儲器大計三箭齊發 明年推首顆自製3D NAND晶片
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大陸發展3D NAND、DRAM、NOR Flash存儲器大計正如火如荼地展開,初步分工將由長江存儲負責3D NAND及DRAM生產,武漢新芯則專職NOR Flash和邏輯代工。
2016年底長江存儲將興建首座12吋廠,最快2017年底生產自製32層堆疊3D NAND晶片,儘管落後目前三星電子(Samsung
Electronics)、東芝(Toshiba)技術約2個世代,然大陸終於將全面進軍NAND Flash領域。
儘管大陸並未趕上NAND Flash存儲器世代,但在存儲器技術改朝換代之際,大陸直接切入新世代3D NAND技術,有機會另闢一片天。
大陸有鑒於過去扶植晶圓代工產業經驗,這次為讓存儲器產業落地生根,採取集中資源生產策略,不僅避免資源分散,並杜絕惡性競爭導致產能供過於求情況。
大陸過去有眾多地方政府和企業集團爭取扮演存儲器生產中心角色,包括合肥市政府、中芯國際及京東方等,後來由武漢新芯出線,然隨著紫光集團加入戰局,大陸原本以武漢新芯為主軸的存儲器發展大計,出現架構性的改變。
2016年紫光集團與武漢新芯合資成立長江存儲,武漢新芯成為長江存儲旗下100%持股的子公司,並對於未來存儲器生產達成初步分工。
長江存儲將主要負責3D NAND和DRAM生產製造,武漢新芯先前宣布動工的12吋新廠,其實是隸屬於長江存儲旗下,該座廠房分為三期,首期建設將於2016年底啟動興建,第二期預計2018年完成興建,第三期在2019年完成,總規劃產能為單月30萬片,總投資額240億美元。
長江存儲3D NAND技術主要來自於飛索(Spansion),飛索在2014年底賣給Cypress之後仍保持獨立營運,由於飛索過去與三星簽下Charge Trap技術授權合約,每年為飛索帶來豐厚的授權金,而Charge Trap正是3D NAND技術關鍵,大陸透過與飛索合作取得跨入3D NAND技術的門票。
長江存儲規劃2017年底量產32層堆疊3D NAND晶片,這將是大陸首顆自製的3D NAND晶片,儘管相較於三星、東芝目前已量產64層堆疊技術,預計2017年底可進入72層或96層技術,大陸3D NAND技術仍是約落後2個世代,但大陸在存儲器自製總算開始衝刺並醞釀超車。
至於武漢新芯未來將專職NOR Flash和邏輯代工業務,旗下12吋廠月產能約3萬片,其中有超過2萬片是生產NOR Flash晶片,主要客戶為飛索和北京創新兆易(GigaDevice)。
目前武漢新芯在邏輯代工產能仍不大,主要客戶為已併入北京君正集成的CIS大廠豪威(OmniVision)。
現階段豪威CIS除了由台積電生產,華力微和武漢新芯分別負責前段和後段製程。
事實上,長江存儲規劃終極月產能30萬片,不僅生產3D NAND晶片,DRAM晶片亦是其中一環,業界認為隨著美光解決購併華亞科一案,以及完成讓南亞科入股事宜後,下一階段美光將與紫光建立策略聯盟,雙方將針對DRAM技術及產能進行合作,因此,長江存儲30萬片月產能將包括DRAM產品。
來源:Digitimes
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